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ddr5 dram 文章 最新資訊

Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級

  • 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%

  • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實施價格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內(nèi)存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一

  • 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達(dá)135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點的同時，用于存儲訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來了屬于
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
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下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應(yīng)國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫存水
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美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

  • 美光經(jīng)過多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點的誕生。
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計算需求

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設(shè)計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
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消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
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SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。
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