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“云光互聯(lián)” 市場猛增,ST推出“硅光+BiCMOS”代工服務
- 1? ?“ 云光互連”市場年增兩位數(shù)AI及生成式AI正在深刻地改變著市場,也進一步推動了對更高速率、更高帶寬、更高能效的解決方案的需求。據(jù)光通信行業(yè)市場研究機構LightCounting 預測,100 GbE 及更高速的以太網(wǎng)光芯片數(shù)量將快速增長,預計從2024 年的3660 萬,增加到2029 年的8050 萬。其中硅光(SiPho)芯片的增長最快,從2024 年的960 萬,增加到2029 年4550 萬。在硅光芯片中,最耀眼的明星是CPO(共封裝光學)端口,盡管從2024 年開始
- 關鍵字: 202504 云光互聯(lián) 硅光 BiCMOS
“云光互聯(lián)”市場猛增,ST推出硅光+BiCMOS代工服務
- 圖1 100GbE及以上的以太網(wǎng)光芯片市場1? ?“云光互連”市場年增兩位數(shù)AI及生成式AI正在深刻地改變著市場,也進一步推動了對更高速率、更高帶寬、更高能效的解決方案的需求。據(jù)光通信行業(yè)市場研究機構LightCounting(簡稱LC)預測,100GbE及更高速的以太網(wǎng)光芯片數(shù)量將快速增長,將從2024年的3660萬,增加到2029年的8050萬。其中硅光芯片的增長最快,從2024年的960萬,增加到2029年4550萬。在硅光芯片中,最耀眼的明星是CPO(共封裝光學)端口,盡管從2
- 關鍵字: 云光互聯(lián) 光互聯(lián) 意法半導體 硅光 BiCMOS 代工
高成本效益的實用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測試電源電流失效問題

- 摘要 本文探討一套解決芯片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法。當采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補金屬氧化物半導體)芯片進入量產(chǎn)預備期時,電源電流失效是一個進退維谷的制造難題。 本文介紹了數(shù)種不同的失效分析方法,例如,數(shù)據(jù)分析、實驗設計(DOE)、流程圖分析、統(tǒng)計輔助分析和標桿分析,這些分析方法對確定問題的根源有很大的幫助,然后使用統(tǒng)計工程工具逐步濾除可變因素。 本項目找到了電流失效問題的根源,并采用了相應的解決措施,使電源電流失效發(fā)生率大幅
- 關鍵字: BiCMOS QFN-MR
新能源汽車會越來越多

- 今后中國新能源汽車會越來越多,?針對新能源汽車相關的產(chǎn)品,?東芝推出了例如在節(jié)能方面非常有功效 的馬達驅動的電路,?還有在電動車混合動力里面廣泛使用的光機電器件類似的產(chǎn)品。?車載信息化方面,?東芝除了既有的車載音箱產(chǎn)品以外,?還增加了與互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)相關的無線互聯(lián)的藍牙產(chǎn)品、?存儲產(chǎn)品。針對環(huán)保的要求,?東芝提供非常獨特的有優(yōu)勢的電機控制技術,?東芝的BiCMOS的制成技術已經(jīng)實現(xiàn)130納米高性能的制程,&nb
- 關鍵字: 東芝 BiCMOS
Maxim推出76V APD偏置和電流監(jiān)測IC

- Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級和電流監(jiān)測IC DS1842。器件采用Maxim先進的BiCMOS工藝設計,集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡,用于監(jiān)測APD電流。該器件還包含一個FET開關,可與外部DC-DC控制器配合工作,構建DC-DC升壓轉換器。DS1842非常適合用于GPON ONU和OLT中的APD偏置和電流監(jiān)測。 DS1842工作在-40°C至+85°C擴展級溫度范圍,提供帶有裸焊盤的小尺寸3mm x 3mm、14引腳TDF
- 關鍵字: Maxim BiCMOS 電流監(jiān)測 DS1842
bicmos介紹
雙極互補金屬氧化半導體
BiCMOS
bipolar compIementary metal oxide semiconductor
將雙極器件的線性和速度與CMOS的低耗用功率、低熱耗散和較高密度相結合的集成電路工藝。它可以工作在ECL,(發(fā)射極耦合邏輯)電平或TTL(晶體管-晶體管邏輯)電平,并廣泛用于混合信號器件。應用(1) 通信用數(shù)字邏輯電路、數(shù)字部件和門陣列等 由第二 [ 查看詳細 ]
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