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3nm finfet 文章 最新資訊

三星電子3nm芯片正式出貨 中國加密貨幣礦機廠商成為首批用戶

  • 7月25日，三星電子于京畿道華城園區(qū)V1線（僅限EVU極紫外光刻）舉辦了基于下一代3nm環(huán)柵晶體管（GAA）技術的芯片代工產(chǎn)品出貨儀式，開始如約向客戶交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯(lián)席CEO兼設備解決方案部門（DS）主管慶桂顯（Kye Hyun Kyung）和韓國工業(yè)貿(mào)易資源部長李昌陽（Lee Chang-yang）在內(nèi)，出席了該儀式。隨著3nm制程工藝的量產(chǎn)，三星電子開啟了晶圓代工業(yè)務的新篇章。在發(fā)貨儀式上，三星晶圓代工部門表達了通過搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝來增強其業(yè)務競爭力的雄心，以及“將繼
  • 關鍵字： 三星  3nm  芯片  

功耗降低30%：臺積電3nm工藝已量產(chǎn)

  • 芯研所7月22日消息，作為臺積電的第一大客戶，蘋果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺積電新一代工藝，不過今年的iPhone 14是趕不上臺積電3nm工藝了。iPhone 14系列無緣3nm主要是臺積電的3nm工藝今年進度有些晚，上半年沒能量產(chǎn)，拖到下半年，跟不上蘋果的量產(chǎn)進度，不過最新消息稱3nm工藝已經(jīng)開始投片量產(chǎn)，而且在新竹、南科兩個園區(qū)的工廠同時量產(chǎn)最先進的工藝。不過臺積電官方?jīng)]有確認這一消息，臺積電表示不評價市場傳聞。根據(jù)臺積電之前的消息，3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N
  • 關鍵字： 臺積電  制程工藝  3nm  

3nm芯片挖礦功耗表現(xiàn)公布：能耗大降45%

  • 6月底，三星宣布3nm GAA晶體管芯片投產(chǎn)，外界稱其首個客戶是國內(nèi)的礦機廠商。隨后外界質疑聲不斷，包括三星是為了搶首發(fā)而草草上馬尚未成熟或者說良率很低的制程，甚至媒體爆料三星自己的手機芯片要到2024年才用3nm，而且直接上第二代?？赡苁菫榱舜蛳饨绲呢撁媲榫w，三星晶圓工廠總裁Siyoung Choi博士在一份公開的報告中給出了3nm礦機芯片的實測表現(xiàn)，數(shù)據(jù)是可以節(jié)能23~45%。顯然這樣的表現(xiàn)屬實不錯，畢竟是結結實實省電了。一些評論人士拒絕從礦工減少支出、可爭取更大收益的角度來看待問題，反而強調，這意
  • 關鍵字： 3nm  虛擬貨幣  能耗  

中國廠商成3nm“小白鼠”：三星自家芯片兩年后才用

  • 6月30日，三星代工廠和半導體研發(fā)中心的職員齊聚一堂，慶祝公司成為世界首家大規(guī)模投產(chǎn)3nm芯片的半導體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管，雖然三星把3nm看得無比重要，可BK的報道稱，三星3nm的首家客戶居然是來自中國的一家名為PanSemi（上海磐矽半導體技術有限公司）的礦機芯片企業(yè)?？紤]到當前虛擬貨幣慘淡的行情，這筆訂單的量級肯定不會大到哪兒去，對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說服力。另一個有趣的細節(jié)是，報道稱，三星自家芯片準備在2024年才用3nm，而且是第二代，這就
  • 關鍵字： 三星  3nm  GAA量產(chǎn)  

英特爾或將修改3nm制程生產(chǎn)計劃 重回巔峰路途漫漫

  • 消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會在8月份前往臺積電，與臺積電的高層會晤，主要是對明年的3nm產(chǎn)能計劃進行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據(jù)報道，英特爾內(nèi)部已開始緊急修正未來一年的平臺藍圖以及自家制程產(chǎn)能計劃。一直有消息稱，英特爾將使用臺積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
  • 關鍵字： 英特爾  3nm  制程  

難道是新款麒麟？三星透露3nm芯片新消息，信息量頗大

  • 在芯片企業(yè)中，華為海思還是頂流的存在，可以說，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅。甚至可以說，海思麒麟芯片還領先于蘋果、高通，因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋果、高通紛紛效仿。然而，誰也沒有想到的是，美多次修改芯片等規(guī)則，導致臺積電等企業(yè)不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過程中也使用了相關美技術。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發(fā)展先進技術，目的就是盡可能地降低對美技術的依賴，從而實現(xiàn)自由出貨。
  • 關鍵字： 麒麟  三星  3nm  

Intel 4制程技術細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET

  • 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
  • 關鍵字： Intel 4  制程技術  FinFET  Meteor Lake  

三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專家表態(tài)：趕鴨子上架、沒人用的

  • 一如之前預告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝，技術上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節(jié)點才會用上GAA工藝。根據(jù)三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
  • 關鍵字： 三星  3nm  

三星否認“3nm 芯片量產(chǎn)延后”，稱仍按進度于第二季度開始量產(chǎn)

  • 　　三星電子今日否認了韓國當?shù)孛襟w《東亞日報》有關延后3nm量產(chǎn)的報道?！稏|亞日報》此前報道稱，由于良率遠低于目標，三星3nm量產(chǎn)將再延后?！　∪且晃话l(fā)言人通過電話表示，三星目前仍按進度于第二季度開始量產(chǎn)3nm芯片。　　據(jù)了解到，昨天韓媒BusinessKorea消息稱，三星為趕超臺積電，加碼押注3nm GAA技術，并計劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎的2nm芯片?！　∠⒎Q，三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺
  • 關鍵字： 三星  3nm  芯片工藝  

先跑并不意味著先贏 良品率才是贏得3nm之爭的關鍵

  • 隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽，未來行業(yè)內(nèi)的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進一步集中，由于半導體行業(yè)極度依賴規(guī)模效應，未來晶圓代工這個行業(yè)也很難再有新的挑戰(zhàn)者出現(xiàn)。
  • 關鍵字： 3nm  三星  臺積電  

蘋果M3芯片代號Palma 采用臺積電3nm工藝

  • WWDC2022上蘋果正式發(fā)布了搭載全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro機型。M2備受關注，然而現(xiàn)在蘋果下一代M系列芯片M3已經(jīng)曝光。數(shù)碼博主 @手機晶片達人表示，M3目前正在設計當中，項目代號叫做Palma，預計2023/ Q3流片，采用臺積電3nm的工藝。當然，這些都還只是傳言，蘋果官方還未公布確切消息，對新芯片感興趣的小伙伴兒可以持續(xù)關注跟進報道。
  • 關鍵字： 蘋果  M3  Palma  臺積電  3nm  

功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：搶先臺積電量產(chǎn)

  • 　　三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體制造公司之一，3nm節(jié)點是他們的一個殺手锏，之前一直被良率不行等負面?zhèn)髀劺_，日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn)，比臺積電還要早一些。　　日前美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知?！　θ莵碚f，3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵，因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術，三
  • 關鍵字： 三星  3nm  

Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

  • 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
  • 關鍵字： 3nm  晶體管  

三星正推進3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實現(xiàn)將先于臺積電量產(chǎn)

  • 據(jù)國外媒體報道，在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時間上基本能跟上臺積電節(jié)奏的三星電子，在更先進的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn)，有報道稱他們正推進在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到，他們的技術領先將通過首個大規(guī)模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進一步加強，他們也將擴大供應，確保獲得全球客戶新的訂單，包括美國和歐洲客戶的訂單。外媒的報道顯示，三星電子方面已經(jīng)宣布，他們早期3nm級柵極全能（3GAE）工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息，也就意味著業(yè)界首個3nm制程工藝即將量產(chǎn)，將是首個采用全
  • 關鍵字： 三星  3nm  臺積電  

5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

  • 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
  • 關鍵字： 泛林  5nm  FinFET  
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