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3d chiplet 文章 最新資訊

曾號稱碾壓英偉達！壁仞科技：單個國產(chǎn)AI芯片不強但數(shù)量多、軟件加持就不一樣了

  • 7月10日消息，近日，壁仞科技副總裁兼AI軟件首席架構(gòu)師丁云帆在談及計算瓶頸時表示，解決算力瓶頸問題需要從三個維度考慮：硬件集群算力、軟件有效算力、異構(gòu)聚合算力。他認為，做好這三個維度的工作，即使國產(chǎn)AI芯片單個算力不強，也能通過綜合手段提升算力，滿足國內(nèi)大模型訓練的需求。“我們2020年設(shè)計的第一代產(chǎn)品里就做了chiplet架構(gòu)，國外巨頭在今年發(fā)布的產(chǎn)品如英偉達B100和英特爾Gaudi 3也采用了同樣的思路，他們用最先進的制程，但也需要chiplet來突破摩爾定律限制來提升單卡算力?！倍≡品f道。據(jù)他
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學會春季學術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

  • 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構(gòu)都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
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3D NAND，1000層競爭加速！

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應(yīng)用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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大算力芯片，正在擁抱Chiplet

  • 在和業(yè)內(nèi)人士交流時，有人曾表示：「要么業(yè)界采用 Chiplet 技術(shù)，維持摩爾定律的影響繼續(xù)前進，要么就面臨商業(yè)市場的損失?！闺S著摩爾定律走到極限，Chiplet 被行業(yè)普遍認為是未來 5 年算力的主要提升技術(shù)。戰(zhàn)場已拉開，紛爭開始了Chiplet 不算是新的技術(shù)，但是這股浪潮確實是近年來開始火熱的。什么是 Chiplet？Chiplet 俗稱芯粒，也叫小芯片，它是將一類滿足特定功能的 die（裸片），通過 die-to-die 內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)實現(xiàn)多個模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起，形成一個系統(tǒng)芯片，以實
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院士論壇：集成電路推動處理器的發(fā)展歷程及未來展望

  • 2023年10月底，CNCC2023（2023 中國計算機大會）在沈陽召開。10 月28 日，中國科學院院士、復旦大學教授、CCF（中國計算機學會）集成電路設(shè)計專家委員會主任劉明做了“集成電路：計算機發(fā)展的基礎(chǔ)”報告。她介紹了三部分：集成電路如何推動微處理器的發(fā)展，AI領(lǐng)域?qū)Ｓ眉軜?gòu)如何實現(xiàn)計算和存儲的融合，新器件、架構(gòu)、集成技術(shù)的展望。
  • 關(guān)鍵字： 202403  處理器  近存計算  存內(nèi)計算  劉明院士  chiplet  芯粒  
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3d chiplet介紹

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