6月27日,SEMICON China 2020大會于上海拉開帷幕。會上,長江存儲聯席首席技術官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能,共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講,談及了疫情下閃存產業(yè)發(fā)展、長江存儲3D NAND技術進展等內容。程衛(wèi)華認為,2020年不平凡的一年,這一年經歷了新冠疫情的全球蔓延,國際局勢的變幻莫測,全球產業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時,疫情給人們的生活方式與半導體技術帶來了改變。程衛(wèi)華指出,消費市場的變化驅動了SSD的需求,以及云上業(yè)務驅動企業(yè)級SSD需求增長。從全球市場綜合發(fā)展來看,企業(yè)級SS
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長江存儲 閃存
4年前的2016年,國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期,不僅量產了64層閃存,今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動,整個項目投資高達240億美元,約合1697億元。在開工儀式上,紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示,國家存儲器基地項目一期開工建設以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠,實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示,國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工,計劃分兩期建設3D NAND
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國產 128層 QLC 閃存
微電子半導體解決方案全球供應商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節(jié)點,這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC,可利用霍爾效應提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現冗余,適用于要求苛刻的場景,例如汽車應用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統(tǒng)處理器定義,而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言,該產品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口,可輕松在汽車或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
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IC 3D
據國外媒體報道,三星電子日前表示,計劃投資8萬億韓元(約合人民幣466億元)在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始,預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示,此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯網等第四次工業(yè)革命,以及5G普及而來的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設生產線,新產線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設,預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產線,韓國將擁有7條
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三星 NAND 閃存
來自統(tǒng)計機構TrendForce的最新統(tǒng)計顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規(guī)模達到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領銜,營收45億美元,環(huán)比增加1.1個百分點,市場份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲)緊隨其后,營收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場份額19%。3~6名分別是西數、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報告稱,一季度
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固態(tài)硬盤 閃存 SSD
電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫(yī)護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產業(yè)成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
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群聯 3D NAND 長江存儲
長江存儲近日宣布,已經攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海
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閃存 SK海力士 長江存儲
從去年下半年到現在,內存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產。據介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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閃存 QLC閃存 長江存儲
據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產工作?!L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總
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長江存儲 3D NAND
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產品家族新成員——32位RX72N產品組和RX66N產品組,其單個芯片集成了設備控制與網絡連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內核,具備240MHz最大工作頻率及雙以太網通道;RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網通道。在工業(yè)設備領域,性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此,存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存,可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率,同時具備1
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閃存 芯片
在NAND閃存市場,三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能,留給其他廠商的空間并不多。國內公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務,最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應求
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國產 閃存 SLC
新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設備。在去年10月份的發(fā)布會上,微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機,Surface Duo可運行Google的Android應用,并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務。Surface Duo是由Panos Panay領導的Surface團隊設計的,它具有出色的硬件,但是之前有傳言稱Surface Duo設備將配備中核相機。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒有配備出
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微軟 Surface Duo 3D
今天國產的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關報道。存儲芯片是近年來國產半導體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進口的內存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發(fā)量產了國產3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉向DRAM內存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經發(fā)表了聲明,否認公司解散,但承認公司業(yè)務有所調整。紫光存儲表示
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內存 閃存 長江存儲
三星近日宣布開始量產512GB eUFS 3.1芯片,其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s,是其前代產品寫入速度的3倍。
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三星 512GB 閃存
為了扶植半導體發(fā)展,多部門推動成立了“國家集成電路產業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經完成,二期大基金規(guī)模高達2041億元,今年3月份將開始實質投資。此前,國家集成電路產業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個左右。據報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產業(yè)上、中、下游各個環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導體制造,包括
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閃存 基金 長江存儲
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