18a 制程文章最新資訊

英特爾將在 2025 VLSI 研討會上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢

4 月 21 日消息，2025 年超大規(guī)模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積（PPA）指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升，將為消費(fèi)級客戶端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度條件下，I
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AMD拿下臺積電2nm工藝首發(fā)

4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發(fā)。N2是臺積電首個依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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英特爾宣布 18A 工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)

英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險生產(chǎn)，這是一個關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑，標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于小批量測試制造運(yùn)行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因?yàn)橛⑻貭柤磳⑼耆瓿善洹八哪晡鍌€節(jié)點(diǎn)”（5N4Y）計(jì)劃，該計(jì)劃最初由前首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）
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英特爾18A制程搶單臺積電，瞄準(zhǔn)英偉達(dá)和博通

臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執(zhí)行長陳立武帶領(lǐng)下，著重發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與代工能力，正積極爭取英偉達(dá)與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達(dá)比博通更有機(jī)會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產(chǎn)品，但效能與功耗仍是英偉達(dá)考慮的重點(diǎn)。另一方面，英特爾透過改善先進(jìn)封裝技術(shù)，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達(dá)為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯(lián)電的合作相當(dāng)順利，最快可能在202
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中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)！

3月24日消息，中國科學(xué)院（CAS）研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國際光電工程學(xué)會（SPIE）的官網(wǎng)上。目前，全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射，輸出功
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早

Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶進(jìn)行測試與評估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶已開始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測試。Intel 18
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即使18A得到提升，英特爾也會繼續(xù)使用臺積電的服務(wù)

盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務(wù)的使用，但該公司將在可預(yù)見的未來繼續(xù)從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術(shù)會議上表示。英特爾的宏偉計(jì)劃是在英特爾代工內(nèi)部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產(chǎn)品的百分比應(yīng)該在臺積電生產(chǎn)?！拔艺J(rèn)為一年前我們在談?wù)摫M快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經(jīng)不是策略了，”英特爾企業(yè)規(guī)劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會議上說。“我們認(rèn)為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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2納米制程競爭臺積電穩(wěn)步向前或芒刺在背？

在半導(dǎo)體制程技術(shù)的競賽中，2納米制程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。臺積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開始試產(chǎn)，并計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺積電將在2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統(tǒng)的FinFET轉(zhuǎn)向新一代晶體管架構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。臺積電也計(jì)劃興建2納米晶圓廠，以滿足未來的生產(chǎn)需求。臺積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩(wěn)定的制造流程和廣泛的客戶基礎(chǔ)。與蘋果、AMD、高通等大客戶的緊密合作，使其在市場上具有強(qiáng)大的影響力。且需面對來自三星和英特爾在GA
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計(jì)劃上半年流片，英特爾18A制程準(zhǔn)備就緒

近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，并計(jì)劃在今年上半年開始設(shè)計(jì)定案。該制程將導(dǎo)入多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計(jì)劃將18A制程應(yīng)用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾18A節(jié)點(diǎn)SRAM密度與臺積電持平背面功率傳輸是一大優(yōu)勢

英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點(diǎn)的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅(jiān)實(shí)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
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16/14nm也受限但擋不住中國崛起！光刻機(jī)采購金額首次大幅下降

2月13日消息，雖然受到美國制裁，但中國一直是以光刻機(jī)為主的晶圓/芯片制造設(shè)備的最大采購國，而根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新報告，2025年中國半導(dǎo)體廠商的采購將首次出現(xiàn)大幅下降。報告稱，2024年，中國對半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購額為410億美元，而在2025年預(yù)計(jì)會降至380億美元，降幅超過7％。TechInsights認(rèn)為，這一方面是美國的出口管制政策越發(fā)收緊，另一方面是中國半導(dǎo)體本身不斷取得突破，同時芯片供應(yīng)超過了需求。30億美元的下降很大，不過380億美元的采購規(guī)模，仍然讓中國穩(wěn)居世
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英特爾宣布首款I(lǐng)ntel 18A芯片下半年發(fā)布

在CES 2025上的處理器大廠英特爾演講中，英特爾臨時聯(lián)合執(zhí)行長Michelle Johnston宣布，首款I(lǐng)ntel 18A節(jié)點(diǎn)制程芯片，也就是英特爾Panther Lake處理器將于2025年下半年發(fā)表。演講中，Johnston還展示了 Panther Lake 芯片的樣品，并表示芯片已經(jīng)在測試中，她對 intel 18A 節(jié)點(diǎn)制程的成果非常滿意。Johnston宣布Intel 18A節(jié)點(diǎn)制程將于2025年晚些時候發(fā)表。她強(qiáng)調(diào)，英特爾會在2025年及以后繼續(xù)增強(qiáng)AI PC產(chǎn)品組合，向客戶提供領(lǐng)先的
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求變！三星將全面整頓封裝供應(yīng)鏈：材料設(shè)備采購規(guī)則全改

12月25日消息，據(jù)媒體報道，三星正計(jì)劃對其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝供應(yīng)鏈進(jìn)行全面整頓，以加強(qiáng)技術(shù)競爭力。這一舉措將從材料、零部件到設(shè)備進(jìn)行全面的“從零檢討”，預(yù)計(jì)將對國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來重大影響。報道稱，三星已經(jīng)開始審查現(xiàn)有供應(yīng)鏈，并計(jì)劃建立一個新的供應(yīng)鏈體系，優(yōu)先關(guān)注設(shè)備，并以性能為首要要求，不考慮現(xiàn)有業(yè)務(wù)關(guān)系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購的設(shè)備，并重新評估其性能和適用性，目標(biāo)是推動供應(yīng)鏈多元化，包括更換現(xiàn)有的供應(yīng)鏈。三星過去一直執(zhí)行“聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃”與單一供應(yīng)商合作開發(fā)下一代產(chǎn)品，然而，由于半導(dǎo)體技術(shù)日益復(fù)
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臺積電2nm制程設(shè)計(jì)平臺準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)明年末開始量產(chǎn)

在歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設(shè)計(jì)自動化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強(qiáng)型N2P/N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過N2P工藝開發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，該版本PDK被認(rèn)為足夠成熟。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠商現(xiàn)在可以基于臺積電第二代2nm制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)芯片。據(jù)悉，臺積電計(jì)劃在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時A16工藝計(jì)劃在2026年末開始投產(chǎn)。臺積電N2系
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三星“緊跟”臺積電：對中國大陸暫停提供7nm及以下制程的芯片

據(jù)外媒報道，美國商務(wù)部已向臺積電發(fā)函，對7nm及以下制程的芯片實(shí)施更為嚴(yán)格的出口管控措施，特別是針對人工智能（AI）和圖形處理器（GPU）領(lǐng)域。對此臺積電計(jì)劃提高與客戶洽談與投片的審核標(biāo)準(zhǔn)，擴(kuò)大產(chǎn)品審查范圍 —— 同時，已通知中國大陸的部分芯片設(shè)計(jì)公司，從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺積電回應(yīng)稱，對于傳言不予置評。從最新的傳聞來看，雖然美國目前尚未正式出臺相關(guān)的限制細(xì)則，但三星似乎也受到了來自美國商務(wù)部的壓力，不得不采取與臺積電類似的舉措。有消息稱，三星與臺積電近日向他所投資的企業(yè)發(fā)送郵件
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