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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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美光發(fā)布2024年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，聚焦進(jìn)展與長期愿景

  • 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日發(fā)布了2024 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，詳細(xì)介紹了美光在可持續(xù)發(fā)展方面的進(jìn)展，彰顯了其屢獲殊榮的可持續(xù)發(fā)展成果，并進(jìn)一步強(qiáng)化了對可持續(xù)發(fā)展和前沿技術(shù)的承諾。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技術(shù)進(jìn)步，這將在未來幾年創(chuàng)造新的重大機(jī)遇。2024 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告彰顯了我們當(dāng)前的承諾和未來的雄心，即通過技術(shù)惠及我們的社區(qū)和地球。通過不懈努力，我們已經(jīng)取得了穩(wěn)步進(jìn)展，我期待公
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

  • 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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美光愛達(dá)荷與紐約晶圓廠預(yù)計(jì)分別于2027、2028年投產(chǎn)

  • 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財(cái)報(bào)電話會(huì)議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報(bào)告中提到，其位于愛達(dá)荷州博伊西的晶圓廠預(yù)計(jì)將于2027財(cái)年投入運(yùn)營，而紐約州的克萊晶圓廠則預(yù)計(jì)將在2028財(cái)年或之后開始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目。其中包含2座晶圓廠的首階段項(xiàng)目將耗資200億美元，定于2029年投運(yùn)。此外，美光還計(jì)劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠，目標(biāo)2041年投運(yùn)。同年，美光還宣布計(jì)劃在10年內(nèi)投資150億美
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì)在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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美光預(yù)計(jì)愛達(dá)荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財(cái)年投運(yùn)

  • IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達(dá)荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財(cái)年正式投運(yùn)：譯文：愛達(dá)荷州晶圓廠要到 2027 財(cái)年才會(huì)帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計(jì)要到 2028 財(cái)年或更晚才會(huì)帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴(kuò)產(chǎn)

  • 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動(dòng)市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴(kuò)大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時(shí)擴(kuò)大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟(jì)新聞20日報(bào)導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標(biāo)在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達(dá)到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴(kuò)大其愛達(dá)荷州博伊
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運(yùn)未受任何影響

  • 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報(bào)，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達(dá)時(shí)廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)導(dǎo)，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運(yùn)未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計(jì)市占達(dá)96％。美光高達(dá)65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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美光宣布提供GDDR7樣品，將用于下一代GPU

  • GDDR 與 HBM 雙管齊下，AI GPU 動(dòng)力十足。
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

  • 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達(dá)32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達(dá)60%，并配備四個(gè)獨(dú)立通道以優(yōu)化工作負(fù)載，從而實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)時(shí)間、更流暢的游戲體驗(yàn)和更短的處理時(shí)間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實(shí)現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機(jī)功耗降低高達(dá)70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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存儲龍頭計(jì)劃興建新工廠！

  • 近期，日媒報(bào)道美光科技計(jì)劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計(jì)劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動(dòng)工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運(yùn)營。據(jù)悉，美光曾計(jì)劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時(shí)間表。近年日本積極出臺補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項(xiàng)目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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美光介紹

　美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。 　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]

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