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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 美光

你所需要知道的HBM技術(shù)

  • 在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預(yù)測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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美光存儲器助力AI造福精神健康

  • 1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關(guān)注這類病癥，了解到如果盡早地發(fā)現(xiàn)和干預(yù)，可使病癥發(fā)展減緩。同時，患者需要大量的康復(fù)訓(xùn)練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區(qū)、社會，同時因為昂貴的康復(fù)費用等因素，為康復(fù)帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關(guān)的醫(yī)學(xué)電子正向數(shù)據(jù)驅(qū)動型、精準(zhǔn)診療方向發(fā)展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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紐約州宣布聯(lián)合IBM、美光等公司，斥資100億美元建立研發(fā)中心

  • 據(jù)IBM官網(wǎng)消息，美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作，投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設(shè)下一代 High-NA EUV 半導(dǎo)體研發(fā)中心。IBM稱，這將是北美第一個也是唯一一個擁有高數(shù)值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心，可為開發(fā)和生產(chǎn)小于2nm的節(jié)點芯片鋪平道路。
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美光發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的客戶端 SSD，助力PC產(chǎn)業(yè)滿足游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和科學(xué)計算的應(yīng)用需求

  • 2023 年 12 月 11 日，中國上海——Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，基于美光 232 層 NAND技術(shù)的 3500 NVMe? 固態(tài)硬盤（SSD） 現(xiàn)已向客戶出貨，用于滿足商業(yè)應(yīng)用、科學(xué)計算、新款游戲和內(nèi)容創(chuàng)作對工作負載的嚴苛需求，從而進一步實現(xiàn)性能突破。美光 3500 SSD 采用 M.2 外形規(guī)格，容量高達 2TB，提供了超越競品的用戶體驗[[1]]，在SPECwpcsm 測試中表現(xiàn)突出，能將產(chǎn)品開發(fā)應(yīng)用性能提升至高 7
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
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美光公布存儲最新路線圖

  • 存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術(shù)，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達GPU芯片。美光最新路線圖延長至2028年，比7月發(fā)布時延長兩年，內(nèi)容也調(diào)整過，增加幾款新產(chǎn)品。美光目前第二代HBM3運行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預(yù)計2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GD
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三星、美光大動作，擴產(chǎn)HBM

  • 存儲市場消費電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責(zé)人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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美股周四：三大股指齊跌，Arm跌超5%，法拉第未來跌11%

  • 11月10日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌，結(jié)束了標(biāo)指和納指兩年來最長的連續(xù)上漲。美聯(lián)儲主席鮑威爾警告稱，可能需要提高基準(zhǔn)利率來抑制通貨膨脹。道瓊斯指數(shù)收于33891.94點，下跌220.33點，跌幅0.65%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)收于4347.35點，跌幅0.81%；納斯達克指數(shù)收于13521.45點，跌幅0.94%。大型科技股多數(shù)下跌，谷歌和亞馬遜跌幅超過1%；Meta上漲，漲幅不到1%。芯片龍頭股漲跌不一，英偉達、高通、博通和美光上漲，美光漲幅超過1%；臺積電、英特爾和Arm等下跌，Ar
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三星、美光計劃擴大HBM產(chǎn)能

  • 在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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不負期待：與美光相約2023進博會

  • 不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展，推動人工智能和5G應(yīng)用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺提升混合現(xiàn)實(MR)與虛擬現(xiàn)實(VR)體驗

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴展現(xiàn)實?(XR)?平臺——第二代驍龍? XR2?驗證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存，目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺，支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存，以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現(xiàn)有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達7,200MT/s

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場的所有客戶出貨?；?β節(jié)點的美光DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)[[1]]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負載需求，系統(tǒng)
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美光宣布推出7500系列SSD，面向數(shù)據(jù)中心存儲應(yīng)用

  • 近日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心工作負載的7500 NVMe SSD，主要面向數(shù)據(jù)中心存儲應(yīng)用，包括了云服務(wù)器和企業(yè)服務(wù)器。美光7500系列產(chǎn)品采用232層3D NAND閃存芯片，該芯片采用了CuA架構(gòu)，使用NAND的字符串堆疊技術(shù)，新技術(shù)可以大大減小NAND閃存的芯片尺寸，有助于降低成本據(jù)美光介紹，該系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延遲，最大順序讀取速度達7GB/s，寫入5.9GB/s（比競爭對手高出97%），最大隨機讀取1100K IOPS（高出13%），寫入410K IOPS（高出242%）
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美股周四：芯片龍頭股多數(shù)上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%

  • 10月13日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌。在美股連漲四天后，美國國債收益率上升，9月份通脹報告略高于預(yù)期，給市場帶來壓力。道瓊斯指數(shù)收于33631.14點，下跌173.73點，跌幅0.51%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)收于4349.61點，跌幅0.62%；納斯達克指數(shù)收于13574.22點，跌幅0.63%。大型科技股多數(shù)下跌，蘋果和亞馬遜上漲，漲幅均不到1%。芯片龍頭股多數(shù)上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%。新能源汽車熱門普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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美光介紹

　美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。 　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細 ]

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