碳化硅文章最新資訊

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日移動應用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅場效應管

安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
關(guān)鍵字：安森美 TOLL封裝碳化硅 MOSFET

羅姆SiC評估板測評：快充測試

一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設(shè)備
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 SBD

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC SBD 肖基特二極管

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅

ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

意法半導體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅牽引逆變器

ST第三代碳化硅技術(shù)問世瞄準汽車與工業(yè)市場應用

電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
關(guān)鍵字： ST 碳化硅汽車工業(yè) SiC

躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和

　　隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
關(guān)鍵字：意法半導體 ST 碳化硅氮化鎵 202203

共267條 13/18 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 »

碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]