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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%,因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4,預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束,合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報(bào)道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%,標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng),該機(jī)構(gòu)指出,三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品,并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預(yù)測,2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗:三星、SK 海力士和美光計(jì)劃
- 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM,他們的 DDR4 淘汰時(shí)間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)的報(bào)道,三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示,三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品,并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動(dòng) LPDDR4X 的停產(chǎn)計(jì)劃。因此,預(yù)計(jì) 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價(jià)格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi),整體 DRAM 價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 15%至 2
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美光是AI存儲領(lǐng)域下一個(gè)大贏家嗎?分析師認(rèn)為是的,但風(fēng)險(xiǎn)仍然存在
- 人工智能 (AI) 基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)地位將 Micron Technology (MU) 推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 93 億美元,同比增長 37%,凸顯了其在為 AI 系統(tǒng)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存 (HBM) 芯片方面的關(guān)鍵作用。分析師認(rèn)為,美光在 AI 內(nèi)存熱潮中的戰(zhàn)略地位,加上被低估的倍數(shù),使其成為一個(gè)引人注目的游戲。但與所有半導(dǎo)體股一樣,周期性風(fēng)險(xiǎn)和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應(yīng)該注意的原因,以及為什么謹(jǐn)慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤
- (圖片來源:Getty / Comezora)科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子,可能為存儲技術(shù)開啟100倍于當(dāng)前容量的新大門,這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體,這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國立大學(xué)(ANU)的化學(xué)家在《 自然 》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣,現(xiàn)代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來存儲數(shù)據(jù),而單分子磁體可以單獨(dú)存儲數(shù)據(jù),無需鄰近分子的幫助,為超高密度數(shù)據(jù)存儲鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新:DDR4 模塊價(jià)格超過 DDR5;關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告,關(guān)于 DRAM,DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來,短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國關(guān)稅是否會被實(shí)施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存,由于國家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng),618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格:現(xiàn)貨市場價(jià)格顯著上漲。此外,DDR4 模塊價(jià)格已超過 DDR5 模塊價(jià)格,從而本周需求略有放緩。然而,DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升,據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍,推動(dòng)南亞科技的庫存暴利
- 上周,臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià),因?yàn)閮r(jià)格飆升。現(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn),南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱,南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%,為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上,據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道,該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM(1c DRAM)晶圓測試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是,與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同,三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高,該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模,根據(jù)
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臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià),庫存緊張
- 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲,據(jù)報(bào)道,臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià),這表明供應(yīng)緊張和需求增長,據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說,報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場,而在合同市場,供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn),由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購,服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此,服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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Solidigm:大容量、高性能存儲,AI時(shí)代數(shù)據(jù)中心加速器
- 當(dāng)AI的浪潮席卷而來,存力與算力密切“配合”,為充分釋放AI潛能提供強(qiáng)大支撐。在今日開幕的2025中國智算中心全棧技術(shù)大會上,Solidigm(思得)亞太區(qū)應(yīng)用工程部總監(jiān)翁昀以《加速存儲創(chuàng)新,擁抱AI時(shí)代》為主題的演講,向與會者介紹了以Solidigm大容量、高性能SSD為核心的存儲系統(tǒng),如何在AI時(shí)代不斷提升效率、降低能耗,成為支撐人工智能發(fā)展支柱的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。隨著AI對存力需求的不斷提升,傳統(tǒng)存儲往往會制約數(shù)據(jù)處理速度的提升,其高能耗也給數(shù)據(jù)中心的資源帶來壓力。Solidigm大容量SSD能夠在更小的空
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DDR 的 PCB布局及走線要求
- 1. 定義DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格:2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆,差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常,根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。A、DDR*1 片,一般采用點(diǎn)對點(diǎn)的布局方式,靠近主控,相對飛線 Bank 對稱。間距可以按照是實(shí)際要求進(jìn)行調(diào)整,推薦間距為 500-800mil。B、DDR*2 片,布局相對主控飛線 Bank 對稱,常采用 T 型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), 推薦間距如下:等長要求
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完爆SSD/HDD!新型玻璃硬盤壽命可達(dá)5000年:放入鹽水中煮沸、烤箱烘烤完好無損
- 快科技5月4日消息,Cerabyte表示,其新型玻璃存儲器的使用壽命可達(dá)5000年。據(jù)TH報(bào)道,近日,存儲初創(chuàng)公司Cerabyte分享了一段視頻,對其玻璃存儲介質(zhì)進(jìn)行了嚴(yán)苛測試。該公司取下其玻璃存儲介質(zhì)的薄片,放入裝滿鹽水的水壺中煮沸(100°C)。然后,為了進(jìn)一步測試,又將其放入披薩烤箱中烤制(250°C)。這段耐久性演示就是為了證明,在極端環(huán)境下,Cerabyte玻璃存儲器上的數(shù)據(jù)依然“100%完好無損”。Cerabyte成立于2022年,總部位于德國,致力于通過將一種“像象形文字一樣耐用”的數(shù)據(jù)存儲
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AI帶動(dòng)存儲需求擴(kuò)大:希捷Q3營收猛增30%!
- 快科技4月30日消息,隨著AI應(yīng)用的快速普及,數(shù)據(jù)存儲需求也在快速增長,Windows 10停止更新也推動(dòng)了PC換機(jī)潮,使得知名存儲大廠希捷在2025財(cái)年第三季度交出了一份亮眼的成績單。根據(jù)希捷最新發(fā)布的財(cái)報(bào),2025會計(jì)年度第三季度(截至2025年3月28日),希捷營收強(qiáng)勁增長30.5%,達(dá)到21.6億美元,超出分析師預(yù)期的21.2億美元。凈利潤為3.4億美元,即每股盈余1.57美元,遠(yuǎn)高于去年同期的2500萬美元(每股盈余0.12美元),調(diào)整后每股盈余1.90美元。希捷首席執(zhí)行官Dave Mosley
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瀾起科技Q1利潤翻倍!DDR5市占全球第一
- 4月23日晚間,瀾起科技披露一季報(bào),2025年第一季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元,同比增長65.78%;凈利潤5.25億元,同比增幅達(dá)135.14%;扣非后凈利潤為5.03億元,同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度,瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元,同比增長63.92%;津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元,同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因,瀾起科技指出,主要得益于2024年第4季人工智能(AI)市場成長強(qiáng)勁,高效運(yùn)算(H
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閃迪創(chuàng)作者系列重磅上市,創(chuàng)新存儲解決方案助力提升內(nèi)容創(chuàng)作體驗(yàn)
- Sandisk閃迪公司旗下閃迪創(chuàng)作者系列存儲解決方案現(xiàn)已全面上市,助力當(dāng)代內(nèi)容創(chuàng)作者專注于高質(zhì)量內(nèi)容呈現(xiàn),賦能不斷增長的創(chuàng)作者經(jīng)濟(jì)。該系列包括全新可兼容MagSafe的閃迪創(chuàng)作者系列磁吸手機(jī)移動(dòng)固態(tài)硬盤在內(nèi)的多款專業(yè)級存儲產(chǎn)品,旨在進(jìn)一步完善創(chuàng)作者的數(shù)據(jù)管理工作流,顯著提升其創(chuàng)作體驗(yàn)。<閃迪創(chuàng)作者系列存儲解決方案>生成式人工智能、高碼率視頻等技術(shù)應(yīng)用加速推動(dòng)了創(chuàng)作者市場的發(fā)展。預(yù)計(jì)至2027年,創(chuàng)作者經(jīng)濟(jì)規(guī)模將增長至4,800億美元*,而爆炸式增長的數(shù)字內(nèi)容也為各領(lǐng)域的內(nèi)容創(chuàng)作者帶來嚴(yán)峻的數(shù)據(jù)
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經(jīng)典芯片,存儲領(lǐng)域的可靠選擇,智微科技JMS576詳解與方案推薦
- 在科技飛速迭代的今天,存儲設(shè)備的性能與可靠性始終是用戶的核心訴求。盡管芯片領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)新技術(shù),但一些歷經(jīng)市場考驗(yàn)的成熟方案依然憑借穩(wěn)定表現(xiàn)占據(jù)一席之地。智微科技推出的JMS576芯片作為USB 3.1 Gen1至SATA 6Gb/s的橋接主控,它不僅兼容Type-C接口的現(xiàn)代需求,更通過高度集成化的設(shè)計(jì)、低功耗優(yōu)化與安全算法,成為移動(dòng)硬盤盒、NAS設(shè)備等存儲產(chǎn)品的可靠選擇。充電頭網(wǎng)也將將深入解析JMS576的核心特性與應(yīng)用場景,并帶來這款芯片的方案推薦。智微 JMS576 介紹JMS576 是一款由智微科
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cún chǔ ?。ù娲鎯Γ? 1.把錢或物等積存起來?!肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗摚瑧?yīng)行存儲款項(xiàng)?!薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》:“每年新漕進(jìn)倉,倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲,將某倉存儲某年米色數(shù)目,造冊先期咨部存案?!?魯迅 《書信集·致李小峰》:“《舊時(shí)代之死》之作者之家族,現(xiàn)頗窘,幾個(gè)友人為之集款存儲,作孩子讀書之用?!? 2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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