存儲器文章最新資訊

Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該P(yáng)MIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
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FPGA如何同DDR3存儲器進(jìn)行接口?

　　大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯，如屏幕上所示。　　為了更好地進(jìn)行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲器電路板。它上面有幾個高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當(dāng)然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個簡單設(shè)計，F(xiàn)PGA
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中國首個256位分子存儲器電路研制成功

近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗室成功研制出國內(nèi)首個256位分子存儲器電路。分子電路是指在分子層次上構(gòu)筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時代接替硅基電路最受關(guān)注的方向之一，它能夠使電子器件的關(guān)鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發(fā)展。電阻轉(zhuǎn)變型雙穩(wěn)態(tài)材料的存儲特性在信息存儲以及存儲器方面有著非常廣闊的應(yīng)用前景，是一種天生的存儲材料。具有此類雙穩(wěn)態(tài)特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優(yōu)
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介紹嵌入式應(yīng)用中存儲器類型的選擇技巧

存儲器的類型將決定整個嵌入式系統(tǒng)的操作和性能，因此存儲器的選擇是一個非常重要的決策。　　無論系統(tǒng)是采用電池供電還是由市電供電，應(yīng)用需求將決定存儲器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲代碼、數(shù)據(jù)或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中,存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對于較小的系統(tǒng)，微控制器自帶的存儲器就有可能滿足系統(tǒng)要求，而較大的系統(tǒng)可能要求增加外部存儲器。為嵌入式系統(tǒng)選擇存儲器類型時，需要考
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嵌入式設(shè)備中片上存儲器的有效使用方法

　　引言　　隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中的片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache、數(shù)據(jù)Cache或者片上存儲器。對于嵌入式設(shè)備上數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用，數(shù)據(jù)Cache與片上存儲器相比存在以下缺陷：①片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設(shè)計時(不是運(yùn)行時)研究數(shù)據(jù)訪問模式;而Cache還要考慮不命中的情況，因而有可變的數(shù)據(jù)訪問時間，執(zhí)行時間的預(yù)測更加困難。②使用Cache執(zhí)行時間的不可預(yù)測性影響編譯器的優(yōu)
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Ramtron升級FM31x Processor Companion系列

　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布升級其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級產(chǎn)品融入了更高效的涓流充電器和標(biāo)準(zhǔn)12.5pF外部晶振實(shí)時時鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設(shè)功能，適用于基于處理器的先進(jìn)系統(tǒng)。　　
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Altera發(fā)售業(yè)界容量最大的FPGA，具有340K邏輯單元

　　Altera公司宣布開始提供業(yè)界容量最大的FPGA。Altera 65-nm Stratix? III系列的型號之一EP3SL340具有業(yè)界最大的340K邏輯單元(LE)容量，支持DDR3存儲器，接口速率超過1067 Mbps，功耗在所有的大容量、高性能邏輯器件(PLD)中是最低的。Stratix III FPGA是各類最終市場多種應(yīng)用的理想解決方案，包括通信、計算機(jī)、存儲以及軍事和航空航天等領(lǐng)域。
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鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機(jī)模擬

　　鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗數(shù)據(jù)得到的
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三星：第一季度內(nèi)存和芯片將跌價10%以上

　　三星電子(SamsungElectronics)發(fā)布2007年第四季度財報，盡管旗下手機(jī)和面板事業(yè)相當(dāng)爭氣，尤其面板獲利表現(xiàn)優(yōu)異，但仍不敵內(nèi)存市場供過于求、芯片價格跌至新低，使得該季凈利衰退6.6%，達(dá)2.21兆韓元(約24億美元)，營收則提升11%，達(dá)17.48兆韓元(約190億美元)。　　三星旗下三大主力事業(yè)分別為半導(dǎo)體、面板和手機(jī)，由于三星身兼DRAM和NAND閃存市場龍頭，往年負(fù)責(zé)內(nèi)存芯片的半導(dǎo)體事業(yè)，一向是三星獲利主要來源，2007年第四季度卻因DRAM價格劇跌，讓過去的金雞母業(yè)績一落千
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基于SAN的網(wǎng)絡(luò)存儲共享系統(tǒng)

　　隨著科學(xué)實(shí)驗的不斷開展，信息化的發(fā)展與多媒體網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的推廣應(yīng)用，數(shù)據(jù)量變得越來越復(fù)雜與繁多。特別是電子商務(wù)的廣泛應(yīng)用，信息化的政務(wù)以及各行各業(yè)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，數(shù)據(jù)已成為一種無形的戰(zhàn)略資產(chǎn)，如何利用現(xiàn)有的存儲結(jié)構(gòu)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲、共享變得越來越重要。數(shù)據(jù)存儲從單一的系統(tǒng)轉(zhuǎn)向網(wǎng)絡(luò)化方面發(fā)展，利用網(wǎng)絡(luò)的海量存儲能力與讀取的方便性，把數(shù)據(jù)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)存儲共享已經(jīng)成為數(shù)據(jù)存儲共享的一種趨勢，而傳統(tǒng)的SCSI存儲方案與目前應(yīng)用廣泛的NAS數(shù)據(jù)存儲共享方案均有不盡人意之處。因此希望有一種優(yōu)秀的解決方案來適應(yīng)當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲共享的要
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尼桑推出針對蘋果Xserve的首個高密度節(jié)能型存儲新款

　　尼桑公司推出首個高密度節(jié)能型存儲方案SATABeast Xi，該方案能夠大大優(yōu)化已經(jīng)上市的蘋果Xserve和 Mac Pro 系統(tǒng)。　　該款SATABeast Xi是迄今為止密度最高的存儲方案，可使僅有4個機(jī)架單元的空間存儲容量高達(dá)42TB;也是唯一可與具有AutoMAID™ (冗余磁盤陣列)的Xserve連接的軟件。在AutoMAID應(yīng)用下，SATABeast Xi 不僅能夠近瞬時訪問數(shù)據(jù)，還能夠?qū)⑵浯疟P驅(qū)動器置于閑置狀態(tài)，從而達(dá)到節(jié)能的目標(biāo)。　　此外，SATABeast Xi
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IBM助國家知識產(chǎn)權(quán)局?jǐn)U容存儲體系

　　中華人民共和國國家知識產(chǎn)權(quán)局(以下簡稱“國家知識產(chǎn)權(quán)局”)與IBM公司共同宣布，國家知識產(chǎn)權(quán)局2006年存儲擴(kuò)容項目已于日前順利完成。IBM不僅幫助國家知識產(chǎn)權(quán)局對現(xiàn)有的內(nèi)網(wǎng)開放系統(tǒng)存儲(即SAN_SVM)進(jìn)行容量擴(kuò)充，同時針對國家知識產(chǎn)權(quán)局的整體存儲構(gòu)架提供了咨詢服務(wù)，以保障國家知識產(chǎn)權(quán)局的運(yùn)行系統(tǒng)能夠在多家廠商集合存儲網(wǎng)的環(huán)境下安全、集中、高效地運(yùn)行。　　當(dāng)前國家知識產(chǎn)權(quán)局專利申請量突破300萬件。知識產(chǎn)權(quán)工作在建設(shè)創(chuàng)新型國家中的作用日益突出，同時經(jīng)濟(jì)、科技、貿(mào)易和文化的發(fā)展對知識產(chǎn)權(quán)工作也提
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基于Nios II系統(tǒng)的1553B總線網(wǎng)絡(luò)存儲器設(shè)計(圖)

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Microchip為其低檔 PIC單片機(jī)架構(gòu)增加閃存數(shù)據(jù)存儲器

　　Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出兩款首次配備非易失性閃存數(shù)據(jù)存儲器(FDM)的8引腳和14引腳封裝低檔 8位閃存PIC單片機(jī)。新器件使Microchip低檔 PIC單片機(jī)系列中的集成低引腳數(shù)單片機(jī)更趨多元化。利用64 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器，結(jié)合8 MHz的內(nèi)置振蕩器、器件復(fù)位定時器、多達(dá)3個8位模數(shù)轉(zhuǎn)換通道及2個比較器，為工程師提供了多種功能部件，有助于在低成本應(yīng)用中融入數(shù)字智能。　　設(shè)計工程師在不斷尋求性價比高的方法，力求在不增加設(shè)計復(fù)雜度的同時增加功能
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預(yù)測：DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈

　　全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲芯片市場將出現(xiàn)反彈。　　在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。　　他稱，“此前，電腦儲存芯片市場一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始，預(yù)計這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時間。我們認(rèn)為從今年第二季度開始，存儲芯片市場將會陸續(xù)出現(xiàn)反彈?！? 　　在今年第三季度，Hynix半導(dǎo)體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]