存儲器文章最新資訊

市場驚現(xiàn)大批無芯片閃存三星成最大受害者

　　近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數(shù)仿造三星產(chǎn)品，三星電子成最大受害者。　　網(wǎng)易科技訊 9月16日消息，全球存儲器市場不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過去市面上曾出現(xiàn)黑心記憶卡，但近期在市場卻首次出現(xiàn)黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經(jīng)拆封后，竟發(fā)現(xiàn)里面連芯片都沒有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業(yè)內(nèi)人士表示，假的NAND Flash產(chǎn)品都是整批以低價交易，嚴(yán)重破壞NAND
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富通微電與南亞簽署協(xié)議了結(jié)芯片專利糾紛

　　據(jù)道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.，簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.，）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。　　兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.，）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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2009年70多個晶圓廠項目將促進(jìn)設(shè)備支出超20％的反彈

　　根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20％，而2009年將獲得超過20％的反彈，主要受全球70多個晶圓廠項目的帶動。該報告的2008年8月版列出了53個晶圓廠組建項目，2009年還有21個晶圓廠建設(shè)項目。　　2008年，300mm晶圓廠項目占了晶圓廠設(shè)備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節(jié)點技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計相當(dāng)于1600萬片200mm晶圓，年增長率僅9％，2007年增長率達(dá)16％。2009年，總產(chǎn)能預(yù)
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TI推出具有MCU存儲器收發(fā)器以及USB 控制器的2.4-GHz 片上系統(tǒng)

　　CC2511x（CC2510x 產(chǎn)品系列的姐妹產(chǎn)品）具有全速 USB 控制器。CC2511x 器件分為 3 個版本（8/16/32kB 快閃存儲器和1/2/4kB RAM 存儲器），除了支持強制端點 0 外，其還可支持 5 個 USB 端點。DMA 控制器可用于在主存儲器和沒有 MCU 干擾的 USB 控制器之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。由于 2.4-GHz 收發(fā)器可支持高達(dá) 500kSPS 的數(shù)據(jù)速率，因此，對于USB 適配器（無線耳機、鍵盤、鼠標(biāo)、Presenter）以及需要與 USB 連接以進(jìn)行固件升級的其
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基于FPGA的空間存儲器的糾錯系統(tǒng)

　　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實驗室是丁肇中博士領(lǐng)導(dǎo)的由美、俄、德、法、中等16個國家和地區(qū)共300多名科學(xué)家參加的大型國際合作項目。它是國際空間站上唯一大型物理實驗，是人類第一次在太空中精密地測量高能量帶電原子核粒子的實驗。其目的是為尋找反物質(zhì)所組成的宇宙和暗物質(zhì)的來源以及測量宇宙線的來源。　　但是對于AMS實驗的空間電子系統(tǒng)，同樣會受到高能粒子的襲擊，導(dǎo)致存儲器的內(nèi)容發(fā)生變化，改寫半導(dǎo)體存儲器件的邏輯狀態(tài)，導(dǎo)致存儲單元在邏輯&ls
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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
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其陽科技選擇Ramtron的4兆位F-RAM存儲器用于游戲機解決方案

　　Ramtron International Corporation宣布應(yīng)用工業(yè)計算平臺制造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎(chǔ)的 GA-2000 及以AMD 為基礎(chǔ)的GA-3000游戲和高分辨率多媒體PC電路板中，設(shè)計使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存儲器。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點，可在其陽科技的游戲機解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM)，以確保數(shù)據(jù)的完整性，并能同時
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賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

　　日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進(jìn)一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調(diào)用循環(huán)，而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫入數(shù)據(jù)和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用提供了最佳解決方案，因此成為了服務(wù)器、RAID 應(yīng)用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的理想選擇。　　CY14B102 2 Mbi
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在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調(diào)平技術(shù)

　　引言　　DDR3 SDRAM存儲器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
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恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機存儲器（DRAM）內(nèi)容平臺低成本解決方案的同時，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
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基于ARM7TDMI的配電綜合測控儀的設(shè)計與實現(xiàn)

0 引言　　為了能對大量負(fù)荷進(jìn)行在線監(jiān)控。很多公司較早地研制了基于單片機技術(shù)，能對配電變壓器或配電線路負(fù)荷運行參數(shù)、電容器投切、電量采集等進(jìn)行綜合監(jiān)控的配電綜合測控儀。但是，由于供電系統(tǒng)負(fù)荷的復(fù)雜性，特別是用戶非線性負(fù)荷的大量使用，企業(yè)對諧波等電能質(zhì)量問題越來越重視，因此，對配電綜合測控儀的要求也隨之提高，而且普遍要求增加諧波、頻率監(jiān)測和通信組網(wǎng)等功能。為了解決這些問題。本文以PHILIPS公司的ARM7芯片LPC2220FBD144為核心，研制出了新一代的配電綜合測控儀。 1硬件電路設(shè)計　　1
關(guān)鍵字：單片機 ARM7 測控儀存儲器

關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設(shè)計的分析

游戲機、數(shù)字電視(DTV)和個人電腦等流行的消費類電子產(chǎn)品的功能越來越多，性能也越來越高。除了考慮傳輸線不 ...
關(guān)鍵字：存儲器 Gpbs DRAM 接口設(shè)計碼間干擾低通濾波器頻率偏移信號幅度 meso-synchronous FlexPhase

工業(yè)檢測應(yīng)用中可擴展的微處理器視覺系統(tǒng)的評估框架

　　簡介　　一般來說，在諸如機器視覺、目標(biāo)自動識別等要求嚴(yán)格的工業(yè)和軍事應(yīng)用場合中使用的成像系統(tǒng)都需要有實時高性能的計算處理能力。一直以來，這些成像系統(tǒng)依靠著專有的體系結(jié)構(gòu)和定制的組件實現(xiàn)各自的性能，但近年來高性能通用微處理器技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)使人們生產(chǎn)出了大量可應(yīng)用于高性能處理系統(tǒng)的低成本元件。　　高性能成像系統(tǒng)尤其是使用了可擴展的多處理器體系結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)的設(shè)計的一個普遍缺陷就是不能平衡好計算帶寬和帶I/O接口的存儲帶寬之間的關(guān)系。最近，帶有大容量內(nèi)部高速緩存和高性能外部存儲器接口的微處理器的引入，使
關(guān)鍵字：微處理器機器視覺工業(yè)檢測存儲器

Ramtron升級FM31x Processor Companion系列

　　非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布升級其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級產(chǎn)品融入了更高效的涓流充電器和標(biāo)準(zhǔn)12.5pF外部晶振實時時鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設(shè)功能，適用于基于處理器的先進(jìn)系統(tǒng)。　　
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲器處理器伴侶

Ramtron推出帶有集成F-RAM存儲器的事件數(shù)據(jù)記錄儀

　　非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀 (EDR) -- FM6124，這是集成式的事件監(jiān)控解決方案，能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化，將數(shù)據(jù)存儲在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡單的器件設(shè)置和資料檢索功能，便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計周期。　　FM6124是針對工業(yè)控制、醫(yī)療和計量等廣泛的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。EDR能夠?qū)崿F(xiàn)
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]