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半導(dǎo)體
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IC通路商3月業(yè)績(jī)走出淡季 普遍回升
- 半導(dǎo)體零組件通路商今年3月?tīng)I(yíng)收普遍回升,包括大聯(lián)大、增你強(qiáng)、安馳皆交出月成長(zhǎng)率逾5成的成績(jī),文曄月?tīng)I(yíng)收成長(zhǎng)也達(dá)31%,進(jìn)入第2季,雖仍得面臨電子五窮六絕疑慮,不過(guò)走出第1季淡季,半導(dǎo)體通路對(duì)第2季營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)多持正面看法。 增你強(qiáng)2月工作天數(shù)影響需求遞延,單月?tīng)I(yíng)收也創(chuàng)下新低紀(jì)錄,不過(guò),3月即明顯回溫,包括驅(qū)動(dòng)IC、快閃存儲(chǔ)器、電源管理等消費(fèi)性電子需求回籠后,3月合并營(yíng)收達(dá)27.9億元,月成長(zhǎng)率56%,亦帶動(dòng)今年第1季72億元,較去年同期成長(zhǎng)11%。 大聯(lián)大的營(yíng)收規(guī)模居冠,但今年3月的成長(zhǎng)動(dòng)能也
- 關(guān)鍵字: IC 半導(dǎo)體
英特爾CEO不確定性驅(qū)離投資者
- 為退休CEO歐德寧尋找繼任者的不確定性正開(kāi)始打壓全球最大半導(dǎo)體芯片制造商英特爾公司。英特爾對(duì)尋找歐德寧繼任者幾乎一直沉默不語(yǔ),缺少CEO繼任計(jì)劃導(dǎo)致投資者不得不大幅暫停可能的投資。PC銷(xiāo)售疲軟已導(dǎo)致分析師調(diào)降了英特爾第一季度業(yè)績(jī)預(yù)期。 2013年,PC市場(chǎng)環(huán)境預(yù)計(jì)將極具挑戰(zhàn)性,單機(jī)銷(xiāo)量料將下降1.5個(gè)百分點(diǎn)。英特爾計(jì)劃于4月16日公布第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 歐德寧于11月19日宣布,他計(jì)劃于今年5月退休。英特爾公司曾表示,正考慮的候選人范圍包括了內(nèi)部和外部人士。 PC增速低迷,面對(duì)許多計(jì)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 半導(dǎo)體
全球半導(dǎo)體業(yè) 下季強(qiáng)彈
- 顧能(Gartner)研究副總裁王端8日表示,受惠半導(dǎo)體庫(kù)存修正將結(jié)束,他預(yù)估本季起全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將顯著回溫,第3季更將強(qiáng)勁成長(zhǎng);他預(yù)估今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收成長(zhǎng)4.5%,明年達(dá)7.7%。 其中晶圓代工是未來(lái)二年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)業(yè),成長(zhǎng)率分別可達(dá)7.6%及9.1%,優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均成長(zhǎng)率。王端表示,預(yù)期臺(tái)積電第3季營(yíng)收強(qiáng)勁成長(zhǎng)。 王端表示,去年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受大環(huán)境影響,衰退2.7%;今年首季因進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整,預(yù)估全球單季營(yíng)收下滑2.7%,但第2季營(yíng)收可因終端客戶(hù)重新備貨,開(kāi)始回溫,
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓代工
臺(tái)港企業(yè)在南京共建12億美元半導(dǎo)體項(xiàng)目
- 新華網(wǎng)南京4月6日電(記者 張展鵬)記者6日從南京市臺(tái)辦獲悉,由臺(tái)灣立升投資控股集團(tuán)與香港企業(yè)共建的半導(dǎo)體項(xiàng)目已簽約落戶(hù)南京,項(xiàng)目計(jì)劃總投資達(dá)12億美元。 該項(xiàng)目位于南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),由臺(tái)灣立升投資控股集團(tuán)、香港廣田投資集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)港相關(guān)投資方共建,引進(jìn)海內(nèi)外200至300位業(yè)內(nèi)技術(shù)專(zhuān)家,打造化合物半導(dǎo)體研發(fā)、封裝、測(cè)試、產(chǎn)學(xué)研、孵化及全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)交流基地。 項(xiàng)目計(jì)劃投資12億美元,一期計(jì)劃投資3億美元,建設(shè)砷化鎵、氮化鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、封裝、測(cè)試、產(chǎn)學(xué)研及公司運(yùn)營(yíng)總部,項(xiàng)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 封裝
全球半導(dǎo)體3強(qiáng) 鯨吞1/3市場(chǎng)
- 全球半導(dǎo)體公司2012年?duì)I業(yè)額資料出爐,英特爾(Intel)及三星電子繼續(xù)蟬聯(lián)前2名,以供應(yīng)手機(jī)晶片為主要業(yè)務(wù)的高通(Qualcomm),由2011年的第6名跳升到第3名。 去年英特爾公司營(yíng)業(yè)額為474.2億美元,年減2.7%,從總體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)角度來(lái)看,去年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額為3041億美元,年減2.2%,英特爾的表現(xiàn)略遜于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 高通成長(zhǎng)傲視群倫 第2名三星電子年增率表現(xiàn)較英特爾佳,半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額為312.6億美元,年增9.5%。不過(guò)三星電子的高成長(zhǎng)主要是因它將三星電機(jī)的LE
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第二季度芯片需求回升 半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入有望增長(zhǎng)

- 據(jù)IHS iSuppli公司的供應(yīng)鏈庫(kù)存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào),半導(dǎo)體庫(kù)存與營(yíng)業(yè)收入要等到第二季度才會(huì)增長(zhǎng),屆時(shí)需求將回升并帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。 今年4-6月半導(dǎo)體供應(yīng)鏈內(nèi)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.7%。去年第四季度微增0.1%,而2013年第一季度則季節(jié)性下滑3.3%。 營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)在第二季度增長(zhǎng),符合庫(kù)存天數(shù)(DOI)健康增長(zhǎng)的預(yù)期。DOI用于衡量芯片庫(kù)存水平。DOI上升可以是經(jīng)濟(jì)形勢(shì)疲軟導(dǎo)致庫(kù)存周轉(zhuǎn)不暢,比如去年有幾個(gè)月就是這種情況。但是,預(yù)計(jì)庫(kù)存在2013年第二季度增長(zhǎng),則將是電子產(chǎn)品需求增長(zhǎng)的結(jié)果
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ASML攻新制程 傳將入股家登
- 家登(3680)受到全球半導(dǎo)體曝光機(jī)龍頭廠艾司摩爾(ASML)重視,繼成為ASML的供應(yīng)鏈后,最近傳出又有意入股家登,可望擴(kuò)大雙方合作關(guān)系。 市場(chǎng)近期傳出,ASML因應(yīng)半導(dǎo)體下一世代制程發(fā)展,為強(qiáng)化供應(yīng)鏈合作關(guān)系,有意入股投資在臺(tái)零組件供應(yīng)商家登。 家登發(fā)言體系昨天表示,不對(duì)單一客戶(hù)發(fā)表評(píng)論,目前沒(méi)有洽談投資案,但該公司對(duì)引進(jìn)策略合作關(guān)系抱持正面態(tài)度,保持開(kāi)放與策略夥伴的對(duì)話空間。 家登為分散集中于服務(wù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)險(xiǎn),近年積極布局傳載解決方案本業(yè)以外的第2和第3只腳,也就是跨足設(shè)備
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何浩銘:今年半導(dǎo)體雙位數(shù)成長(zhǎng)
- 美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究主管何浩銘表示,今、明兩年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入良性循環(huán),預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將維持雙位數(shù)成長(zhǎng)。 何浩銘指出,行動(dòng)裝置市場(chǎng)需求持續(xù)看俏,平板電腦及智慧手機(jī)都持續(xù)支撐今年半導(dǎo)體成長(zhǎng),其中,大陸高階智慧手機(jī)平均單價(jià)持續(xù)成長(zhǎng),有利半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)品價(jià)格走穩(wěn),相關(guān)廠商如晶圓代工、封測(cè)及IC設(shè)計(jì)等都有雙位數(shù)以上成長(zhǎng)力道。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 智能手機(jī)
半導(dǎo)體元件價(jià)格預(yù)計(jì)2013年回升
- 據(jù)最新一期IHS iSuppli公司元件價(jià)格走勢(shì)追蹤報(bào)告顯示,繼連續(xù)兩年放緩之后,半導(dǎo)體元件的長(zhǎng)期前景有望好轉(zhuǎn),未來(lái)四年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)計(jì)達(dá)到5.7%。其增長(zhǎng)將來(lái)自無(wú)線市場(chǎng)的消費(fèi)支出增加,以及醫(yī)療、能源和公共基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)τ谛庐a(chǎn)品的需求。 IHS公司認(rèn)為,雖然2013年第一季度半導(dǎo)體元件價(jià)格將繼續(xù)保持平穩(wěn),與2012年第四季度以及2012年全年的疲弱走勢(shì)一樣,但第二季度將開(kāi)始上漲,而且所有主要多來(lái)源同質(zhì)商品類(lèi)元件的平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)將實(shí)現(xiàn)按年上漲。 第一季度以后,今年多
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 元件
富士通將針對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)裁員2000人
- 富士通根據(jù)2013年2月7日公布的經(jīng)營(yíng)方針,在2013年3月28日的董事會(huì)上通過(guò)了裁減2000名半導(dǎo)體業(yè)務(wù)人員的決議,決定在日本裁員1600人、海外裁員400人。 富士通2013年2月7日宣布整個(gè)集團(tuán)將裁員約5000人。此次公布了裁員的具體細(xì)節(jié)以及下調(diào)董事薪酬等內(nèi)容。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面,將從富士通半導(dǎo)體的集團(tuán) 公司裁減1600名日本員工及400名海外員工。日本提前退休人員的征集時(shí)間定為2013年4月17日~4月26日,退休日為2013年6月30日。除了 在退休金中加入特殊補(bǔ)貼外,還將通過(guò)再就業(yè)支援公
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瑞薩通過(guò)3千人規(guī)模提前退休裁人計(jì)劃
- 瑞薩電子在2013年3月28日的董事會(huì)上通過(guò)了一項(xiàng)決議,即以該公司及其日本合并結(jié)算子公司的40歲以上員工為對(duì)象,實(shí)施提前退休優(yōu)待制度。 此次決議通過(guò)的提前退休優(yōu)待制度的內(nèi)容與2013年1月17日公布的內(nèi)容一樣,沒(méi)有變化,設(shè)想征集3千多人。預(yù)定2013年8月征集自愿提前退休人員,于2013年9月30日正式退休。截至2013年3月,瑞薩電子及其在日本和海外的合并結(jié)算子公司共有員工約3.5萬(wàn)人。 就下調(diào)工資和取消夏季獎(jiǎng)金達(dá)成協(xié)議 另外,瑞薩電子還在2013年3月27日與工會(huì)達(dá)成協(xié)議,決定取
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富士通決定將日本的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)人員裁減1600人
- 富士通根據(jù)2013年2月7日公布的經(jīng)營(yíng)方針,在2013年3月28日的董事會(huì)上通過(guò)了裁減2000名半導(dǎo)體業(yè)務(wù)人員的決議,決定在日本裁員1600人、海外裁員400人。 富士通2013年2月7日宣布整個(gè)集團(tuán)將裁員約5000人。此次公布了裁員的具體細(xì)節(jié)以及下調(diào)董事薪酬等內(nèi)容。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面,將從富士通半導(dǎo)體的集團(tuán)公司裁減1600名日本員工及400名海外員工。日本提前退休人員的征集時(shí)間定為2013年4月17日~4月26日,退休日為2013年6月30日。除了在退休金中加入特殊補(bǔ)貼外,還將通過(guò)再就業(yè)支援公司向
- 關(guān)鍵字: 富士通 半導(dǎo)體 服務(wù)器
2012年全球25大半導(dǎo)體供應(yīng)商:10美7日3臺(tái)3歐2韓
- IC Insights調(diào)查指出,2012年臺(tái)積電位居全球第3大半導(dǎo)體供應(yīng)商,聯(lián)發(fā)科躍居第21位。2012年全球前25大半導(dǎo)體供應(yīng)商中有10家廠商總部位于美國(guó),7家位于日本,3家位于臺(tái)灣,3家位于歐洲,2家位于韓國(guó)。 全球前25大半導(dǎo)體供應(yīng)商中,包括臺(tái)積電、格羅方德(GlobalFoundries)及聯(lián)電3家純晶圓代工廠,還有6家無(wú)晶圓設(shè)計(jì)廠。 IC Insights表示,有趣的是全球前5大半導(dǎo)體供應(yīng)商營(yíng)運(yùn)模式都不同,整合元件制造(IDM)廠英特爾(Intel)穩(wěn)居全球半導(dǎo)體龍頭地位。
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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