半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
作者：吉時(shí)利儀器公司
時(shí)間：2009-07-28
來(lái)源：
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
這些測(cè)量考慮了與電容相關(guān)的串聯(lián)與并聯(lián)電阻，以及耗散因子(漏流)。圖4給出了這類(lèi)測(cè)量可以測(cè)出的主要電路變量。
本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/96649.htm
z, theta：阻抗與相角
R+jX：電阻與電抗
Cp-Gp：并聯(lián)電容與電導(dǎo)
Cs-Rs：串聯(lián)電容與電阻
其中：Z=阻抗
D=耗散因子
θ=相角
R=電阻
X=電抗
G=電導(dǎo)
圖4. C-V測(cè)量得到的主要電氣變量
成功C-V測(cè)量的挑戰(zhàn)
C-V測(cè)試配置的框圖雖然看上去非常簡(jiǎn)單，但是這種測(cè)試卻具有一定的挑戰(zhàn)。一般而言，測(cè)試人員在下面幾個(gè)方面會(huì)遇到麻煩：
· 低電容測(cè)量（皮法和更小的值）
· C-V測(cè)試儀器與圓片器件的連接
· 漏電容（高D）的測(cè)量
· 利用硬件和軟件采集數(shù)據(jù)
· 參數(shù)提取
評(píng)論