解決SMPS難題

　　* 方波發(fā)生器通過驅動開關Q1和Q2產(chǎn)生一個方波電壓(Vd)。換言之，下面和上面的MOSFET的占空比應該分別為D和1-D。這時，兩次轉換之間一般有一個很小的死區(qū)時間。

　　* 能量傳送網(wǎng)絡包含一個DC隔直電容和一個變壓器。這個網(wǎng)絡利用DC隔直電容(CB)消除方波電壓(Vd)的DC偏移，然后通過變壓器把純AC方波電壓傳送到次級端。由于存在泄漏電感，變壓器初級端電流Ip滯后于加在變壓器初級端上的電壓，這就讓MOSFET得以零電壓導通。如圖2所示，在其中一個開關斷開之后，Ip對MOSFET輸出電容進行充電(或放電)，最終開關電壓從一個輸入電軌變化到另一個(從Vin到地或從地到Vin)。接著，Ip繼續(xù)流經(jīng)反向并聯(lián)的體二極管。只要體二極管導通，相應的MOSFET就能夠零電壓導通。這種軟開關方案不僅可降低開關損耗，還能減小電磁干擾(EMI)。

　　* 整流器網(wǎng)絡利用整流二極管和低通LC濾波器對AC電壓進行整流，最后產(chǎn)生DC電壓。這個整流器網(wǎng)絡可采用全波的橋式結構或中心抽頭式結構。

　　針對不對稱半橋轉換器設計的集成式功率開關

　　飛兆半導體的集成式“Green FPS”功率開關FSFA2100系列是專門針對不對稱半橋轉換器設計而開發(fā)的一種技術。這種技術在單個器件中整合了PWM控制器、高端驅動和SuperFET，只需要極少數(shù)量的外部元件。圖3所示為其內部模塊示意圖。在大功率轉換器應用中，PCB版圖設計一向是棘手部分，因為在布局時，為了把噪聲干擾降至最低，必需讓柵極驅動器和控制電路盡可能地靠近MOSFET。FSFA2100把柵極驅動器及控制電路與MOSFET集成在一起，使這些器件之間的距離最小化，從而大幅減小了終端應用的噪聲干擾。此外，這樣做也減少了寶貴的設計時間，使生產(chǎn)力得以提高。