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通過(guò)Analog與PWM調(diào)整輸出功率1KW智能工業(yè)電源

本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架構(gòu) + NCP13994 LLC架構(gòu) + NCP4306同步整流電源應(yīng)用,次級(jí)采用NCL38046可以支持Analog 與PWM調(diào)整輸出功率 ,輔助電源采用NCP1343-CCM/QR控制。NCP1681是一種創(chuàng)新的多模式操作控制IC，此IC載重載時(shí)操作在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM)，在輕載或中載時(shí)則應(yīng)用在邊界模式(CrM) 的功率因數(shù)校正控制器 IC，并且適合設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)無(wú)橋圖騰柱拓?fù)?Totem pole PFC)。這種無(wú)橋圖騰柱 PFC
關(guān)鍵字： Analog PWM 智能工業(yè)電源安森美 GaNFET

問(wèn)題沒(méi)有專門(mén)用于驅(qū)動(dòng)GaNFET的控制器時(shí)，如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開(kāi)關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。簡(jiǎn)介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損
關(guān)鍵字： DC-DC控制器 GaNFET ADI

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器，而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置GaN驅(qū)動(dòng)器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡(jiǎn)單的專用GaNFET驅(qū)動(dòng)器（如 LT8418)外，市場(chǎng)上還存在針對(duì)GaN的復(fù)雜降壓和升壓控制器（如LTC7890, LTC7891)。目前的
關(guān)鍵字： ADI GaNFET DC-DC

GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，理解GaN有可能帶來(lái)的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
關(guān)鍵字： GaNFET 硅FET

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