準(zhǔn)諧振工作的反激轉(zhuǎn)換器(04-100)

　　較弱的EMI特征波形

　　控制正弦波(或接近正弦波)的變量所提供的頻譜分量總是比硬開(kāi)關(guān)系統(tǒng)所提供的更窄。圖6和圖7描述了兩個(gè)工作在同一點(diǎn)上但采用不同開(kāi)關(guān)技術(shù)的系統(tǒng)所呈現(xiàn)的傳導(dǎo)EMI特征波形。

　　由于MOSFET在漏極電平最低時(shí)重新啟動(dòng)，因而此處不存在在開(kāi)關(guān)閉合時(shí)放電的經(jīng)典COSS電容，而且極窄的峰值電流也已經(jīng)消失(當(dāng)其足夠大時(shí)，該峰值也往往會(huì)干擾電流檢測(cè)比較器，甚至存在LEB電路的情況下亦不可避免)。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)需要在射頻部分附近工作時(shí)，尤其是在電視機(jī)底板應(yīng)用中，推薦采用準(zhǔn)方波轉(zhuǎn)換器。

　　檢測(cè)磁芯去磁事件

　　磁芯去磁檢測(cè)通常通過(guò)專用的輔助繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)，其電壓波形直接與變壓器磁通相關(guān)：VAUX=dF/dt。取決于控制器設(shè)備，觀察到的信號(hào)的極性必須與其檢測(cè)電路相適應(yīng)。

　　圖8給出了采用反激和正激繞法的輔助繞組所發(fā)出的去磁信號(hào)的實(shí)例。

　　請(qǐng)注意，這種技術(shù)并非用來(lái)檢測(cè)磁芯去磁或谷點(diǎn)，而是檢測(cè)輔助電壓的過(guò)零點(diǎn)，即VDRAIN=VIN。為了檢測(cè)真正的谷點(diǎn)，檢測(cè)中必須增加一個(gè)延遲。實(shí)際上，是在此輔助信號(hào)和控制器的輸入引腳之間增加一個(gè)小的RC濾波器：除了確保在谷點(diǎn)處導(dǎo)通所需的延遲之外，它也可濾除對(duì)重新啟動(dòng)控制器產(chǎn)生負(fù)面影響的漏感因素。

　　當(dāng)輔助繞組同時(shí)被用來(lái)對(duì)控制器供電時(shí)，正激類型將施加一個(gè)額外的限制，因?yàn)殡娫措妷汉蚔IN成正比：控制器的電源電壓范圍必須足夠?qū)?，以適應(yīng)VAUX較大的變化。