配置四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器來(lái)適應(yīng)不同應(yīng)用：升壓、降壓或反相輸出

四開(kāi)關(guān)降壓-升壓拓?fù)溆米鹘祲盒?a class="contentlabel" href="http://www.2s4d.com/news/listbylabel/label/穩(wěn)壓器">穩(wěn)壓器

ADI公司推出了多款40V降壓型μModule穩(wěn)壓器。圖1重點(diǎn)展示了最大負(fù)載電流在 4 A以上的幾款現(xiàn)有穩(wěn)壓器，但這些降壓型穩(wěn)壓器支持的電壓和電流范圍有限。采用新推出的四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4712作為降壓轉(zhuǎn)換器，可以顯著拓展工作范圍，從而簡(jiǎn)化客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

圖1 40 V_IN(>4A)降壓型μModule穩(wěn)壓器

該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可以輕松配置為降壓轉(zhuǎn)換器，無(wú)需任何特殊調(diào)整。當(dāng)V_IN>V_OUT時(shí)，內(nèi)部控制器會(huì)讓功率FET M3保持關(guān)斷，而M4保持導(dǎo)通。M1和M2會(huì)調(diào)節(jié)輸出，就像標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器一樣運(yùn)行，如圖2所示。與之前的降壓穩(wěn)壓器LTM4613相比，盡管M4引入了額外的傳導(dǎo)損耗，但新器件仍然實(shí)現(xiàn)了更高的能效比，如圖3所示。這一改進(jìn)是MOSFET和電感技術(shù)進(jìn)步的結(jié)果。

表1顯示了無(wú)強(qiáng)制散熱措施下的熱性能比較，凸顯了降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的效率優(yōu)勢(shì)。新器件提供的功率雖然比降壓調(diào)節(jié)器高得多，但工作溫度反而更低，而且尺寸相似。

圖2 用作降壓型穩(wěn)壓器

圖3 降壓模式效率和電流能力比較：(a)5 V_OUT效率，(b)12V_OUT效率

表1 降壓模式熱性能比較，TA=25°C，無(wú)強(qiáng)制散熱措施

四開(kāi)關(guān)降壓-升壓拓?fù)溆米魃龎盒头€(wěn)壓器

如圖4所示，ADI公司之前已經(jīng)發(fā)布了一款40 V升壓型μModule穩(wěn)壓器。LTM4656支持最大4A電流，而新發(fā)布的四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器在用作升壓調(diào)節(jié)器時(shí)，可以處理更高的負(fù)載電流。

圖4 ADI 40V升壓型穩(wěn)壓器系列

在V_IN<V_OUT的應(yīng)用中使用該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，內(nèi)部開(kāi)關(guān)M1保持導(dǎo)通，而M2保持關(guān)斷。M3和M4會(huì)自然地調(diào)節(jié)輸出，就像典型升壓轉(zhuǎn)換器一樣，如圖5所示。與缺乏輸出短路保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)升壓轉(zhuǎn)換器不同，該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器具備固有的短路保護(hù)功能。如果輸出短接到地，M1和M2將像降壓轉(zhuǎn)換器一樣切換，限制從輸入流到輸出的電流。最大短路電流受輸入或輸出路徑中的R_SENSE電阻或峰值電感限流值（以較低者為準(zhǔn)）的限制。此外，在初始V_IN快速上升階段，常規(guī)升壓轉(zhuǎn)換器通常會(huì)有不受控制的高沖擊電流通過(guò)升壓二極管，對(duì)C_OUT充電。該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器在V_OUT較低時(shí)始終以降壓模式啟動(dòng)，因此其輸入沖擊電流受到電感電流軟啟動(dòng)的嚴(yán)格控制和限制?？傊?，相比常規(guī)升壓調(diào)節(jié)器，該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)更可靠的升壓轉(zhuǎn)換器。

圖5 用作升壓調(diào)節(jié)器，具備固有的輸出短路保護(hù)功能

圖6和表2比較了該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器與降壓型μModule穩(wěn)壓器的效率、功率能力和熱性能。第一款器件表現(xiàn)出優(yōu)越的效率、更大的電流處理能力和明顯更好的熱性能。兩款穩(wěn)壓器尺寸相同，均為16 mm × 16 mm。

圖6 升壓模式效率和電流能力比較：(a) 24 V_OUT效率，(b) 36 V_OUT效率

表2 升壓模式熱性能比較，TA = 25°C，無(wú)強(qiáng)制散熱措施

四開(kāi)關(guān)降壓-升壓拓?fù)溆米鞣聪嘟祲?升壓型穩(wěn)壓器以提供負(fù)輸出電壓

與標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器類(lèi)似，該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器也可配置為反相降壓-升壓拓?fù)?，以用于?fù)輸出應(yīng)用。如圖7所示，M1和M2以互補(bǔ)方式切換；在此操作期間，M3關(guān)斷，M4導(dǎo)通。請(qǐng)注意，最大電壓V_MAX = |V_IN|+|V_OUT|必須小于40 V，即該器件的最大額定電壓。流過(guò)電感的直流電流I_L的幅度計(jì)算公式為I_L = I_OUT/(1-D)，其中D是包含M1和M2的相位臂的占空比，M1是主開(kāi)關(guān)。

圖7 配置為反相降壓-升壓型穩(wěn)壓器

圖8為反相配置的電路示例，該電路設(shè)計(jì)為24 V輸入和-12 V輸出，支持高達(dá)10 A的負(fù)載電流。圖9顯示了從基準(zhǔn)平臺(tái)測(cè)試獲得的效率曲線(xiàn)。

圖8 反相配置的電路示例

圖9 基準(zhǔn)平臺(tái)測(cè)試的-12 V_OUT效率曲線(xiàn)

在反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，輸出電壓在啟動(dòng)期間可能會(huì)略微上升至零伏以上。將該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型穩(wěn)壓器配置為反相模式時(shí)，也觀察到同樣的行為。

圖10展示了啟動(dòng)期間輸出電壓反向的原理。在輸入電源接通后，但在所有四個(gè)MOSFET開(kāi)始切換之前，輸入電流開(kāi)始通過(guò)兩條路徑反向?qū)敵鲭娙莩潆姡浩湟皇峭ㄟ^(guò)跨接在M1和M2上的C_IN去耦電容，其二是通過(guò)INTV_CC電容路徑。如果C_IN或C_INTVcc明顯大于C_OUT，則可能出現(xiàn)更高的反向輸出電壓。

然而，μModule穩(wěn)壓器內(nèi)部存在固有的箝位電路，如圖11所示。V_SD3和V_SD4分別表示M3和M4的源漏電壓。當(dāng)-V_OUT > V_SD3 + V_SD4時(shí)，M3和M4的體二極管導(dǎo)通，接管充電電流。這兩個(gè)體二極管形成一個(gè)自然箝位電路。換句話(huà)說(shuō)，最大反向輸出電壓為V_SD3 + V_SD4。

圖12顯示了啟動(dòng)期間基準(zhǔn)平臺(tái)測(cè)試的反向輸出電壓波形。在圖12a中，反向-V_OUT的幅度約為+0.75 V，與C_OUT (330 μF)相比，電路中的C_IN (50 μF)有限。將C_IN增加至350 μF時(shí)，觀察到反向-V_OUT升高至+1.5 V，如圖12b所示。

C_IN與C_OUT的比率可以調(diào)整，以使正輸出電壓最小。在達(dá)到內(nèi)部箝位電壓V_sd3 + V_sd4之前，比率越小，正輸出電壓越低。此外，輸出端可以添加一個(gè)外部低正向壓降箝位肖特基二極管，以將正電壓限制在所需水平，如圖8所示。

圖10 啟動(dòng)期間的充電電流流動(dòng)路徑

圖11 四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中的自然箝位電路

圖12 啟動(dòng)期間的反向-V_OUT波形：(a)與C_OUT (330 μF)相比，C_IN (50 μF)相對(duì)較??；(b)與C_OUT (330 μF)相比，C_IN (350 μF)相對(duì)較大

結(jié)語(yǔ)

該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型穩(wěn)壓器可以直接用作降壓或升壓型穩(wěn)壓器，無(wú)需任何特殊配置?；鶞?zhǔn)測(cè)試已驗(yàn)證，與現(xiàn)有其他降壓或升壓型μModule穩(wěn)壓器相比，新推出的降壓-升壓型μModule擁有更高的效率、更好的熱性能和更強(qiáng)的電流處理能力。此外，該款四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器可以輕松配置為反相降壓-升壓型穩(wěn)壓器，以滿(mǎn)足負(fù)輸出應(yīng)用的需要。該款器件的效率也非常高，在基準(zhǔn)測(cè)試中得到了證實(shí)。此外，本文討論了瞬時(shí)反向輸出電壓行為背后的機(jī)制，并提供了應(yīng)對(duì)此類(lèi)問(wèn)題的設(shè)計(jì)指南和解決方案。

若要全面了解如何正確使用這款新推出的四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器，建議參考數(shù)據(jù)手冊(cè)和相關(guān)的評(píng)估套件設(shè)計(jì)。該款器件還受到LTpowerCAD^?設(shè)計(jì)工具和LTspice^?仿真工具的支持。這些資源提供了寶貴的見(jiàn)解和技術(shù)規(guī)范，對(duì)于用戶(hù)在不同應(yīng)用中優(yōu)化性能至關(guān)重要。

參考文獻(xiàn)

Ling Jiang、Wesley Ballar、Anjan Panigrahy、Henry Zhang，“μModule Regulator Achieves Highest Power Efficiency”，Electronic Products，2024年10月。

作者簡(jiǎn)介

Ling Jiang于2018年畢業(yè)于田納西大學(xué)諾克斯維爾分校，獲電氣工程博士學(xué)位。畢業(yè)后，她加入了ADI公司電源產(chǎn)品部，工作地點(diǎn)位于美國(guó)加利福尼亞灣區(qū)。她目前是一名應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)支持針對(duì)多市場(chǎng)應(yīng)用的μModule?產(chǎn)品。

Wesley Ballar是多市場(chǎng)應(yīng)用部門(mén)的高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用工程師，主要負(fù)責(zé)μModule^?產(chǎn)品支持工作。自2016年加入ADI公司以來(lái)，他在不同崗位上為μModule團(tuán)隊(duì)提供支持。Wesley于2015年畢業(yè)于加州州立理工大學(xué)，獲電氣工程學(xué)士學(xué)位。

Anjan Panigrahy于2023年畢業(yè)于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校，獲電氣與計(jì)算機(jī)工程學(xué)位，主修電力電子學(xué)。他現(xiàn)擔(dān)任ADI公司多市場(chǎng)應(yīng)用部門(mén)的產(chǎn)品應(yīng)用工程師，從事μModule^?穩(wěn)壓器支持工作。

Henry Zhang是ADI公司院士。他于1994年獲得中國(guó)浙江大學(xué)頒發(fā)的電子工程學(xué)士學(xué)位，分別于1998年和2001年獲得弗吉尼亞理工學(xué)院暨州立大學(xué)（黑堡）頒發(fā)的電子工程碩士學(xué)位和博士學(xué)位。他于2001年加入凌力爾特（現(xiàn)在已成為ADI的一部分）。