【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用

在 5G 通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)                  換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程的 “守門人”。        

關(guān)于光電子器件

光電子器件           是一類基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)等物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當(dāng)光線照射半導(dǎo)體材料時(shí)，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子 - 空穴對(duì)，從而改變材料電學(xué)特性；反之，通過施加電信號(hào)也能激發(fā)半導(dǎo)體發(fā)光。        

分類： 發(fā)光器件、光探測器件、光顯示器件、光存儲(chǔ)器件等

應(yīng)用： 可廣泛應(yīng)用于 顯示屏、照明燈、遙控器、掃描儀、光纖通信 等眾多領(lǐng)域

半導(dǎo)體光電子器件測試應(yīng)用案例分享

由于信號(hào)發(fā)生器輸出的信號(hào)功率有限，難以滿足光電子器件測試對(duì)高壓信號(hào)的需求，此時(shí)就需要功率放大器介入。功率放大器能夠?qū)⑿盘?hào)發(fā)生器輸出的信號(hào)進(jìn)行放大，在保信號(hào)頻率和波形特性的前提下，大幅提升信號(hào)的電壓幅度和輸出功率，最終輸出頻率、幅度可變的交流高壓信號(hào) 。

Aigtek安泰電子作為國內(nèi)專業(yè)從事功率放大器等測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)，在半導(dǎo)體光電子器件測試領(lǐng)域有著深入研究，本次我們整理了部分過往半導(dǎo)體光電子器件測試方向的實(shí)驗(yàn)案例，希望能對(duì)從事半導(dǎo)體光電子器件領(lǐng)域研究的工程師們有所幫助。

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▼ 功率放大器在非載流子注入micro-LED 驅(qū)動(dòng) 中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn) 制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件，采用信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生交流信號(hào)，并通過ATA-1220E功率放大器放大輸出，驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED。實(shí)現(xiàn)了非載流子注入micro-LED的寬電壓工作窗口。

▼ 高壓放大器在量子點(diǎn)顯示器的發(fā)光MOS結(jié)研究中的應(yīng)用

為了避免亞微米級(jí)別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對(duì)準(zhǔn)，本實(shí)驗(yàn) 提出了一種基于量子點(diǎn)的發(fā)光MOS結(jié)構(gòu)。我們通過測量器件的光電特性，例如電壓-頻率-發(fā)光強(qiáng)度特性，電壓-頻率-發(fā)光光譜特性等，分析了載流子輸運(yùn)行為，并揭示了器件的工作機(jī)制。

▼ 高壓放大器 在量子點(diǎn)薄膜的非接觸無損原位檢測中的應(yīng)用

量子點(diǎn)薄膜作為核心功能層，在發(fā)光二極管、顯示器等多種光電器件中起著關(guān)鍵作用。量子點(diǎn)薄膜厚度的不均勻性必然會(huì)影響器件的整體光電特性。然而，傳統(tǒng)的方法很難在不引入額外損傷的情況下快速獲得其厚度分布的相關(guān)信息。本實(shí)驗(yàn)提出了一種非接觸式無損檢測量子點(diǎn)薄膜厚度的方法。在高電場作用下，量子點(diǎn)薄膜會(huì)發(fā)生光致發(fā)光猝滅現(xiàn)象，這與量子點(diǎn)薄膜的厚度以及施加的電壓大小有關(guān)。

▼ 高壓放大器 在自供電光電器件高壓檢測研究 中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn) 提出了一種抗干擾能力強(qiáng)的自供電高壓監(jiān)測器件，即麥克斯韋位移電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（MDC-LED）所產(chǎn)生的光信號(hào)判斷高壓信號(hào)的變化。通過仿真與實(shí)驗(yàn)證明了MDC-LED可以重組電力線附近的電場，產(chǎn)生近似均勻的電場，具有很強(qiáng)的抗干擾能力。

▼ 功率放大器在μLED器件光電特性研究中的應(yīng)用

本實(shí)驗(yàn) 依據(jù)非導(dǎo)體接觸式μLED模型，制備出相應(yīng)的器件。其次是針對(duì)這種新型結(jié)構(gòu)的μLED，研究其在交流信號(hào)驅(qū)動(dòng)下的頻率-電壓、電流-電壓，發(fā)光強(qiáng)度等光電特性。