普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備，獲功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠訂單

據(jù)悉，在高端Clip封裝設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期由少數(shù)國(guó)際巨頭把持的局面下，近期，中國(guó)半導(dǎo)體裝備制造商普萊信實(shí)現(xiàn)了重大突破，普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備（涵蓋高精度固晶機(jī)、夾焊機(jī)及在線式真空爐）獲功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠的訂單，該產(chǎn)品線此前已成功導(dǎo)入國(guó)內(nèi)多家頭部功率器件大廠的核心量產(chǎn)線。國(guó)產(chǎn)高端Clip Bond封裝整線設(shè)備首次實(shí)現(xiàn)規(guī)?；隹?，這一里程碑事件，驗(yàn)證了普萊信技術(shù)滿足大電流功率器件的嚴(yán)苛封裝要求，并具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

Clip封裝：大電流時(shí)代的必然選擇

在電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)、數(shù)據(jù)中心及高功率快充等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體器件正朝著更高電流密度、更高功率密度、更高可靠性及更低熱阻的方向飛速演進(jìn)。傳統(tǒng)引線鍵合（Wire Bonding）技術(shù)因其金屬線固有的電阻高、載流能力有限、熱管理瓶頸及潛在的引線斷裂/脫焊風(fēng)險(xiǎn)，已成為制約中高功率器件（如IGBT模塊、SiC MOSFET模塊）性能提升的關(guān)鍵障礙。

Clip (Copper Lead-frame Interconnect Package，銅帶引線框架互連封裝) 工藝應(yīng)運(yùn)而生，其核心創(chuàng)新在于摒棄易受限的金屬線，采用扁平、寬厚的銅帶（Clip）直接連接芯片（Die）頂部與外部引線框架或基板。這一結(jié)構(gòu)性變革帶來(lái)了顛覆性優(yōu)勢(shì)：

1.電流承載能力躍升：銅帶截面積遠(yuǎn)超金屬線，顯著降低電阻，提升電流承載能力（可達(dá)傳統(tǒng)線鍵合的5-10倍），滿足高功率模塊的嚴(yán)苛需求。

2.熱阻大幅降低：銅帶提供了高效、低熱阻的散熱路徑，能快速將芯片產(chǎn)生的巨大熱量傳導(dǎo)至基板或散熱器，極大提升器件可靠性和壽命。

3.電感最小化：扁平互連結(jié)構(gòu)比弧形金屬線具有更低的寄生電感，提升器件在高頻開(kāi)關(guān)（尤其在SiC/GaN應(yīng)用中）的性能和效率。

4.封裝體積優(yōu)化：銅帶結(jié)構(gòu)緊湊，有助于實(shí)現(xiàn)更小型化、更高功率密度的模塊設(shè)計(jì)。

正是這些不可替代的優(yōu)勢(shì)，使Clip工藝迅速成為大電流、高功率密度IGBT、SiC MOSFET模塊封裝的標(biāo)準(zhǔn)解決方案。

市場(chǎng)格局與設(shè)備挑戰(zhàn)：效率、精度與成本

英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric）、富士電機(jī)（Fuji Electric）、美臺(tái)（DIODES）等國(guó)際巨頭在高端功率模塊市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)，其Clip產(chǎn)線對(duì)設(shè)備的性能和穩(wěn)定性要求極其苛刻。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、華潤(rùn)微等中國(guó)廠商正加速布局高性能功率芯片，對(duì)具備量產(chǎn)能力的先進(jìn)Clip封裝設(shè)備需求迫切。面對(duì)大規(guī)模量產(chǎn)，市場(chǎng)對(duì)Clip設(shè)備的核心要求聚焦于：

1.高效率：滿足汽車等領(lǐng)域的巨大產(chǎn)能需求。

2.高精度與一致性：確保銅帶精準(zhǔn)放置、焊接可靠（尤其是點(diǎn)膠/焊膏控制），直接影響模塊的電流承載能力和長(zhǎng)期可靠性。

3.低綜合運(yùn)行成本：降低耗材（如密封圈）、氣體（如氮?dú)猓┫暮途S護(hù)成本。

4.穩(wěn)定性與良率：解決工藝痛點(diǎn)（如“炸錫”），保障連續(xù)生產(chǎn)。

贏得海內(nèi)外頂級(jí)客戶青睞，源于其精準(zhǔn)解決了Clip量產(chǎn)中的核心痛點(diǎn)

一、為高功率量產(chǎn)而生：兼容性與效率雙優(yōu)

普萊信整線支持8英寸及12英寸晶圓尺寸，滿足當(dāng)前及下一代功率芯片大規(guī)模生產(chǎn)的需求。其設(shè)備架構(gòu)深度優(yōu)化，被客戶驗(yàn)證具備行業(yè)領(lǐng)先的高精度、高效率與兼容性，為功率模塊的規(guī)?；?、低成本制造提供了強(qiáng)大裝備支撐。

二、精密點(diǎn)膠：大電流可靠性的基石

銅帶與芯片間的底部填充/粘接材料（如燒結(jié)銀膏、環(huán)氧膠）的涂布精度和一致性，直接決定了互連界面的熱阻、電阻及長(zhǎng)期可靠性。普萊信創(chuàng)新采用可配置多點(diǎn)膠系統(tǒng)（最多6頭），其核心價(jià)值在于每個(gè)點(diǎn)膠頭均可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立閉環(huán)控制的超高精度膠量輸出。這種設(shè)計(jì)確保了在高速生產(chǎn)下，點(diǎn)膠位置、形狀和體積的極致精準(zhǔn)與均勻，徹底杜絕因點(diǎn)膠不良（缺膠、溢膠）導(dǎo)致的局部熱點(diǎn)或連接失效風(fēng)險(xiǎn)，為大電流承載的穩(wěn)定性保駕護(hù)航。

三、真空爐革命：可靠性躍升與成本銳減

真空回流焊接是確保銅帶與芯片形成高強(qiáng)度、低空洞率互連的關(guān)鍵步驟，也是傳統(tǒng)產(chǎn)線的“成本與良率洼地”。普萊信的在線式真空爐實(shí)現(xiàn)了顛覆性創(chuàng)新：

1.超長(zhǎng)壽命密封：核心密封部件壽命從行業(yè)普遍的1-2周，革命性提升至6個(gè)月以上，極大減少停機(jī)維護(hù)和備件成本，提升設(shè)備綜合利用率（OEE）。

2.根治“炸錫”頑疾：通過(guò)創(chuàng)新的熱場(chǎng)控制與壓力管理，有效抑制了焊料飛濺（“炸錫”），顯著提升焊接良率和模塊絕緣可靠性。

3.氮?dú)庀拇蠓档停?/strong>優(yōu)化的流場(chǎng)設(shè)計(jì)與密封技術(shù)，實(shí)現(xiàn)氮?dú)庀牧匡@著下降，直接降低客戶長(zhǎng)期運(yùn)行成本。

4.無(wú)縫在線集成：與前后道設(shè)備流暢對(duì)接，提升整線自動(dòng)化水平和生產(chǎn)效率。

未來(lái)展望：Clip工藝與第三代半導(dǎo)體的共舞

隨著800V高壓平臺(tái)電動(dòng)車普及及SiC/GaN器件滲透率加速提升，對(duì)功率模塊的電流密度、開(kāi)關(guān)頻率、工作溫度及可靠性要求將達(dá)到前所未有的高度。Clip封裝作為承載這些器件的首選工藝，其設(shè)備必須向更高精度、更高效率、更強(qiáng)穩(wěn)定性和更低綜合成本（CoO）持續(xù)進(jìn)化。

普萊信智能Clip整線成功打入國(guó)際頂級(jí)客戶供應(yīng)鏈，不僅是中國(guó)高端半導(dǎo)體裝備能力的有力證明，更彰顯了其技術(shù)在滿足未來(lái)大電流、高可靠性封裝需求上的前瞻性。其在大尺寸晶圓支持、精密點(diǎn)膠控制、高可靠低耗真空焊接等方面的突破，直指功率半導(dǎo)體封裝升級(jí)的核心訴求。對(duì)于致力于在激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中構(gòu)建性能與成本雙重優(yōu)勢(shì)的功率器件廠商而言，具備整線交付能力和顯著降本增效價(jià)值的國(guó)產(chǎn)高端裝備，正成為其提升核心競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略選擇。普萊信的突破，標(biāo)志著在決定功率半導(dǎo)體性能的關(guān)鍵封裝工藝領(lǐng)域，中國(guó)高端裝備已具備與國(guó)際領(lǐng)先者同臺(tái)競(jìng)技的實(shí)力，并為全球功率電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的動(dòng)能。