ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！

作者：時間：2025-04-24 來源：EEPW

加入技術交流群
- 掃碼加入
  和技術大咖面對面交流
  海量資料庫查詢

本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/202504/469811.htm

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）車載充電器（以下簡稱“OBC”）的PFC^*1和LLC^*2轉換器等應用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐壓的7款機型（BSTxxx2P4K01）。通過將各種大功率應用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中，可有效減少客戶的設計時間，而且有助于實現(xiàn)OBC等應用中電力變換電路的小型化。

HSDIP20內置有散熱性能優(yōu)異的絕緣基板，即使大功率工作時也可有效抑制芯片的溫升。事實上，在OBC常用的PFC電路（采用6枚SiC MOSFET）中，使用6枚頂部散熱型分立器件與使用1枚6in1結構的HSDIP20模塊在相同條件下進行比較后發(fā)現(xiàn)，HSDIP20的溫度比分立結構低約38℃（25W工作時）。這種出色的散熱性能使得該產(chǎn)品以很小的封裝即可應對大電流需求。另外，與頂部散熱型分立器件相比，HSDIP20的電流密度達到3倍以上；與同類型DIP模塊相比，電流密度高達1.4倍以上，達到業(yè)界先進水平。因此，在上述PFC電路中，HSDIP20的安裝面積與頂部散熱型分立器件相比可減少約52％，這非常有利于實現(xiàn)OBC等應用中電力變換電路的小型化。

新產(chǎn)品已于2025年4月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格15,000日元/個，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo CO., LTD.（日本福岡縣筑后工廠）和藍碧石半導體宮崎工廠（日本宮崎縣），后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems （Thailand）Co., Ltd.（泰國）。

＜開發(fā)背景＞

近年來，為實現(xiàn)無碳社會，電動汽車的普及速度進一步加快。在電動汽車領域，為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進，同時，提升OBC和DC-DC轉換器輸出功率的需求也日益凸顯。另一方面，市場還要求這些應用實現(xiàn)小型化和輕量化，其核心是提高功率密度，同時亟需在影響功率密度提升的散熱性能改善方面實現(xiàn)技術性突破。ROHM開發(fā)的HSDIP20解決了分立結構越來越難以應對的這一技術難題，有助于電動動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)更高功率輸出和更小體積。未來，ROHM將繼續(xù)開發(fā)兼具小型化與高效化的SiC模塊產(chǎn)品，同時致力于開發(fā)能夠實現(xiàn)更小體積和更高可靠性的車載SiC IPM。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應用示例＞

PFC和LLC轉換器等電源轉換電路也廣泛應用于工業(yè)設備的一次側電路中，因此HSDIP20還能為工業(yè)設備和消費電子等領域的應用產(chǎn)品小型化提供支持。

● 車載設備

車載充電器（OBC）、DC-DC轉換器、電動壓縮機等

● 工業(yè)設備

EV充電樁、V2X系統(tǒng)、AC伺服器、服務器電源、PV逆變器、功率調節(jié)器等

＜支持信息＞

ROHM擁有在公司內部進行電機測試的設備，可在應用層面提供強力支持。為了加快HSDIP20產(chǎn)品的評估和應用，ROHM還提供各種支持資源，其中包括從仿真到熱設計的豐富解決方案，助力客戶快速采用HSDIP20產(chǎn)品。另外，ROHM還提供雙脈沖測試用和三相全橋用的兩種評估套件，支持在接近實際電路條件的狀態(tài)下進行評估。

＜關于“EcoSiC?”品牌＞

EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領域備受關注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，已經(jīng)確立了SiC領域先進企業(yè)的地位。

[注] EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

＜術語解說＞

*1）PFC（Power Factor Correction/功率因數(shù)校正）

通過改善電源電路中的輸入功率波形來提高功率因數(shù)的電路。使用PFC電路可使輸入功率接近正弦波（功率因數(shù)=1），從而提升功率轉換效率。PFC電路一般是采用二極管進行整流，但OBC通常使用以MOSFET實現(xiàn)的有源橋式整流或無橋PFC。這是因為MOSFET的開關損耗更低，尤其是大功率PFC中，采用SiC MOSFET可以減少發(fā)熱和功率損耗。