臺積電3納米差點背鍋！iPhone15發(fā)熱禍首是一零件

iPhone 15 Pro系列新機出現(xiàn)容易過熱的毛病，外界一度以為是臺積電3納米的問題，但蘋果官方上周末發(fā)聲明表示，主要是iOS 17系統(tǒng)的漏洞與第三方應用程序（APP）交互作用下所導致。此外，有業(yè)內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規(guī)格升級的DRAM（動態(tài)隨機存取內存）造成運行龐大負擔。

知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋果半導體業(yè)務的達人說法，「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發(fā)燙的罪魁禍首，規(guī)格升級的DRAM為了配合數(shù)據(jù)處理速度，消耗了更多電力，這個過程中就會產生熱。」

Revegnus也提到，該名業(yè)內人士認為，此問題可能會在一至兩個月內解決，并已經排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機后發(fā)現(xiàn)，搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM芯片。

此前，韓媒將iPhone 15過熱原因指向臺積電3納米制程，并提到此跡象可能是FinFET制程技術已經到達極限，而提早在3納米轉進GAA制程的三星將有突破點，且如果市場對臺積電3納米存疑，客戶可能會轉向或同時采用三星的產品，引起熱烈討論。