安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件

全新產(chǎn)品系列包括快速開關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領先行業(yè)的每開關(guān)超低導通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標準封裝

2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800 V電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。 

該產(chǎn)品組合還包括采用半橋功率集成模塊（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有領先業(yè)界的超低Rds（on），采用標準F2封裝。這些模塊非常適用于工業(yè)應用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉(zhuǎn)換階段。它們提供更高的集成度，采用優(yōu)化的直接鍵合銅設計，實現(xiàn)了并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度，適用于能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源（UPS）。 

安森美高級副總裁兼先進電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說：“安森美最新一代汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將助力設計人員減小其應用占位和降低系統(tǒng)散熱要求。這有助于設計人員開發(fā)出能效更高、功率密度更大的高功率轉(zhuǎn)換器。” 

車規(guī)級1200 V EliteSiC MOSFET專用于高達22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應用而開發(fā)，具有領先同類產(chǎn)品的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)。