中芯國(guó)際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬(wàn)片

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶不斷進(jìn)來(lái)。

在最近的財(cái)報(bào)電話會(huì)上，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來(lái)?！备鶕?jù)之前的報(bào)道，中芯國(guó)際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬(wàn)片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已經(jīng)試產(chǎn)，但產(chǎn)能不會(huì)有多大。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N＋1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看，與7nm工藝相近。梁孟松博士也表示，N＋1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些（業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%），所以中芯國(guó)際的N＋1工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。而在N＋1之后，中芯國(guó)際還會(huì)有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。