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MOSFET的驅(qū)動技術及應用

作者: 時間:2018-09-04 來源:網(wǎng)絡 收藏

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/201809/388426.htm

下圖是電流波形

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢奟3越大,MOS的導通速度越慢。

可以看到,驅(qū)動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度,對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅(qū)動情況下,MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢姡?qū)動電阻大的時候,高頻諧波明顯變小。

但是驅(qū)動速度慢,又有什么壞處呢?那就是開關損耗大了,下圖是不同驅(qū)動電阻下,導通損耗的功率曲線。

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢姡?qū)動電阻大的時候,損耗明顯大了。



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