MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用
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第二個(gè)，重要作用就是調(diào)解驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動(dòng)能力，而不能提高。
對(duì)上圖進(jìn)行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。
紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆?？梢钥吹?，當(dāng)R3比較大時(shí)，驅(qū)動(dòng)就有點(diǎn)力不從心了，特別在處理米勒效應(yīng)的時(shí)候，驅(qū)動(dòng)電壓上升很緩慢。
下圖，是驅(qū)動(dòng)的下降沿
同樣標(biāo)稱7A的mos，不同的廠家，不同的器件，參數(shù)是不一樣的。所以沒有什么公式可以去計(jì)算。
那么驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開關(guān)有什么影響呢?下圖是MOS導(dǎo)通時(shí)候DS的電壓：
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。
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