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IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

作者: 時(shí)間:2016-12-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)?! 〉牵琁GBT和其它電力電子器件一樣,其應(yīng)用還依賴于電路條件和開關(guān)環(huán)境。因此,IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn),是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
  為解決IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問題,國外各IGBT生產(chǎn)廠家或從事IGBT應(yīng)用的企業(yè)開發(fā)出了眾多的IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路或模塊,如國內(nèi)常用的日本富士公司生產(chǎn)的EXB8系列,三菱電機(jī)公司生產(chǎn)的M579系列,美國IR公司生產(chǎn)的IR21系列等。但是,EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關(guān)斷和電源電壓欠壓保護(hù)功能,而惠普生產(chǎn)的HCLP一316J有過流保護(hù)、欠壓保護(hù)和1GBT軟關(guān)斷的功能,且價(jià)格相對(duì)便宜,因此,本文將對(duì)其進(jìn)行研究,并給出1700V,200~300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。
  1 IGBT的工作特性
  IGBT是一種電壓型控制器件,它所需要的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)功率非常小,可直接與模擬或數(shù)字功能塊相接而不須加任何附加接口電路。IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由柵極電壓UGE來控制的,當(dāng)UGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)IGBT導(dǎo)通,當(dāng)柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號(hào)時(shí),IGBT被關(guān)斷。
  IGBT與普通晶體三極管一樣,可工作在線性放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū),其主要作為開關(guān)器件應(yīng)用。在驅(qū)動(dòng)電路中主要研究IGBT的飽和導(dǎo)通和截止兩個(gè)狀態(tài),使其開通上升沿和關(guān)斷下降沿都比較陡峭。
  2 IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求
  在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)時(shí)必須注意以下幾點(diǎn)。
  1)柵極正向驅(qū)動(dòng)電壓的大小將對(duì)電路性能產(chǎn)生重要影響,必須正確選擇。當(dāng)正向驅(qū)動(dòng)電壓增大時(shí),.IGBT的導(dǎo)通電阻下降,使開通損耗減??;但若正向驅(qū)動(dòng)電壓過大則負(fù)載短路時(shí)其短路電流IC隨UGE增大而增大,可能使IGBT出現(xiàn)擎住效應(yīng),導(dǎo)致門控失效,從而造成IGBT的損壞;若正向驅(qū)動(dòng)電壓過小會(huì)使IGBT退出飽和導(dǎo)通區(qū)而進(jìn)入線性放大區(qū)域,使IGBT過熱損壞;使用中選12V≤UGE≤18V為好。柵極負(fù)偏置電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般負(fù)偏置電壓選一5V為宜。另外,IGBT開通后驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓和電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導(dǎo)通區(qū)而損壞。
  2)IGBT快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下IGBT的開關(guān)頻率不宜過大,因?yàn)楦咚匍_通和關(guān)斷時(shí),會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿。
  3)選擇合適的柵極串聯(lián)電阻RG和柵射電容CG對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)相當(dāng)重要。RG較小,柵射極之間的充放電時(shí)間常數(shù)比較小,會(huì)使開通瞬間電流較大,從而損壞IGBT;RG較大,有利于抑制dvce/dt,但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗。合適的CG有利于抑制dic/dt,CG太大,開通時(shí)間延時(shí),CG太小對(duì)抑制dic/dt效果不明顯。
  4)當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數(shù)的干擾,使柵射電壓引起器件誤導(dǎo)通,為防止這種現(xiàn)象發(fā)生,可以在柵射間并接一個(gè)電阻。此外,在實(shí)際應(yīng)用中為防止柵極驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)高壓尖峰,最好在柵射間并接兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管,其穩(wěn)壓值應(yīng)與正負(fù)柵壓相同。
  3 HCPL-316J驅(qū)動(dòng)電路
  3.1 HCPL-316J內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
  HCPL-316J的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示,其外部引腳如圖2所示。
  

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/201612/330470.htm

  

  從圖1可以看出,HCPL-316J可分為輸入IC(左邊)和輸出IC(右邊)二部分,輸入和輸出之間完全能滿足高壓大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的要求。
  各引腳功能如下:
  腳1(VIN+)正向信號(hào)輸入;
  腳2(VIN-)反向信號(hào)輸入;
  腳3(VCG1)接輸入電源;
  腳4(GND)輸入端的地;
  腳5(RESERT)芯片復(fù)位輸入端;
  腳6(FAULT) 故障輸出,當(dāng)發(fā)生故障(輸出正向電壓欠壓或IGBT短路)時(shí),通過光耦輸出故障信號(hào);
  腳7(VLED1+)光耦測試引腳,懸掛;
  腳8(VLED1-)接地;
  腳9,腳10(VEE)給IGBT提供反向偏置電壓;
  腳11(VOUT)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)IGBT;
  腳12(VC)三級(jí)達(dá)林頓管集電極電源;
  腳13(VCC2)驅(qū)動(dòng)電壓源;
  腳14(DESAT) IGBT短路電流檢測;
  腳15(VLED2+)光耦測試引腳,懸掛;
  腳16(VE)輸出基準(zhǔn)地。
  其工作原理如圖1所示。若VIN+正常輸入,腳14沒有過流信號(hào),且VCC2-VE=12v即輸出正向驅(qū)動(dòng)電壓正常,驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出高電平,故障信號(hào)和欠壓信號(hào)輸出低電平。首先3路信號(hào)共同輸入到JP3,D點(diǎn)低電平,B點(diǎn)也為低電平,50×DMOS處于關(guān)斷狀態(tài)。此時(shí)JP1的輸入的4個(gè)狀態(tài)從上至下依次為低、高、低、低,A點(diǎn)高電平,驅(qū)動(dòng)三級(jí)達(dá)林頓管導(dǎo)通,IGBT也隨之開通。
  若IGBT出現(xiàn)過流信號(hào)(腳14檢測到IGBT集電極上電壓=7V),而輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)繼續(xù)加在腳1,欠壓信號(hào)為低電平,B點(diǎn)輸出低電平,三級(jí)達(dá)林頓管被關(guān)斷,1×DMOS導(dǎo)通,IGBT柵射集之間的電壓慢慢放掉,實(shí)現(xiàn)慢降柵壓。當(dāng)VOUT=2V時(shí),即VOUT輸出低電平,C點(diǎn)變?yōu)榈碗娖?,B點(diǎn)為高電平,50×DMOS導(dǎo)通,IGBT柵射集迅速放電。故障線上信號(hào)通過光耦,再經(jīng)過RS觸發(fā)器,Q輸出高電平,使輸入光耦被封鎖。同理可以分析只欠壓的情況和即欠壓又過流的情況。

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