IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的設(shè)計方案
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3．2驅(qū)動電路設(shè)計
驅(qū)動電路及參數(shù)如圖3所示。
在輸出端，R5和C7關(guān)系到IGBT開通的快慢和開關(guān)損耗，增加C7可以明顯地減小dic／dt。首先計算柵極電阻：其中ION為開通時注入IGBT的柵極電流。為使IGBT迅速開通，設(shè)計，IONMAX值為20A。輸出低電平VOL=2v?？傻?br />
C3是一個非常重要的參數(shù)，最主要起充電延時作用。當(dāng)系統(tǒng)啟動，芯片開始工作時，由于IGBT的集電極C端電壓還遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于7V，若沒有C3，則會錯誤地發(fā)出短路故障信號，使輸出直接關(guān)斷。當(dāng)芯片正常工作以后，假使集電極電壓瞬間升高，之后立刻恢復(fù)正常，若沒有C3，則也會發(fā)出錯誤的故障信號，使IGBT誤關(guān)斷。但是，C3的取值過大會使系統(tǒng)反應(yīng)變慢，而且在飽和情況下，也可能使IGBT在延時時間內(nèi)就被燒壞，起不到正確的保護(hù)作用， C3取值100pF，其延時時間
在集電極檢測電路用兩個二極管串連，能夠提高總體的反向耐壓，從而能夠提高驅(qū)動電壓等級，但二極管的反向恢復(fù)時間要很小，且每個反向耐壓等級要為1000V，一般選取BYV261E，反向恢復(fù)時間75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出現(xiàn)過流信號后具有的軟關(guān)斷特性，其原理是C5通過內(nèi)部MOSFET的放電來實現(xiàn)軟關(guān)斷。圖3中輸出電壓VOUT經(jīng)過兩個快速三極管推挽輸出，使驅(qū)動電流最大能達(dá)到20A，能夠快速驅(qū)動1700v、200-300A的IGBT。
3．3驅(qū)動電源設(shè)計
在驅(qū)動設(shè)計中，穩(wěn)定的電源是IGBT能否正常工作的保證。如圖4所示。電源采用正激變換，抗干擾能力較強(qiáng)，副邊不加濾波電感，輸入阻抗低，使在重負(fù)載情況下電源輸出電壓仍然比較穩(wěn)定。
變壓器按下述參數(shù)進(jìn)行設(shè)計：原邊接+12v，頻率為60kHz，工作磁感應(yīng)強(qiáng)度Bw為O．15T，副邊+15v輸出2A，-5v輸出1 A，效率n=80％，窗口填充系數(shù)Km為O．5，磁芯填充系數(shù)Kc為1，線圈導(dǎo)線電流密度d為3 A／mm2。則輸出功率
PT=（15+O．6）×2×2+（5+O．6）×1×2=64W。
變壓器磁芯參數(shù)
由于帶載后驅(qū)動電源輸出電壓會有所下降，所以，在實際應(yīng)用中考慮提高頻率和占空比來穩(wěn)定輸出電壓。
4 結(jié)語
本文設(shè)計了一個可驅(qū)動l700v，200～300A的IGBT的驅(qū)動電路。硬件上實現(xiàn)了對兩個IGBT（同一橋臂）的互鎖，并設(shè)計了可以直接給兩個IGBT供電的驅(qū)動電源。
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