總投資超百億元，通富微電旗下兩大先進(jìn)封測基地取得新進(jìn)展

據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體封測大廠通富微電官方微信消息，其旗下通富通達(dá)先進(jìn)封測基地項目開工儀式于2024年9月20日在南通市北高新區(qū)舉行。同日，通富通科（南通）微電子有限公司Memory二期項目首臺設(shè)備入駐儀式也正式在通富通科舉行。

資料顯示，通富通達(dá)先進(jìn)封測基地項目總投資75億元，占地面積217畝，項目計劃于2029年4月全面投產(chǎn)，全面達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年新增應(yīng)稅銷售60億元、稅收超億元。

通富微電董事長、總裁石磊在致辭中談到，通富通達(dá)先進(jìn)封測基地項目建成后將主要涉足通訊、存儲器、算力等應(yīng)用領(lǐng)域，重點聚焦于多層堆疊、倒裝、圓片級、面板級封裝等國家重點鼓勵和支持的集成電路封裝產(chǎn)品。通富微電自成立近30年來，始終深植產(chǎn)業(yè)報國信仰，勇當(dāng)封測領(lǐng)域前沿科技攻關(guān)引領(lǐng)者，緊緊圍繞集成電路先進(jìn)封測領(lǐng)域面臨的瓶頸制約發(fā)力，為確保產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈自主、安全、可控提供了有效支撐。

據(jù)悉，通富先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)基地項目是2024年省級重大項目，包括通富通達(dá)和通富通科兩個子項目。而在同一天，通富通科（南通）微電子有限公司Memory二期項目首臺設(shè)備入駐儀式也正式舉行。

通富微電董事長、總裁石磊表示，通富通科Memory二期項目的順利推進(jìn)，既得益于一期項目的成功運(yùn)行，也凝聚著各方的努力與付出。首臺設(shè)備的入駐，標(biāo)志著通富微電在市北高新區(qū)的存儲器封測基地建設(shè)取得了階段性成果，將在技術(shù)層面形成存儲器封測領(lǐng)先水平，在產(chǎn)能層面滿足日益增長的市場需求，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。

據(jù)通富通科（南通）微電子有限公司總經(jīng)理吉紅斌介紹，Memory二期項目新增凈化車間面積8000平方米，投產(chǎn)后整體每月可提供15萬片晶圓。同時，新增1.6億元設(shè)備投資，主要是嵌入式FCCSP、uPOP等高端產(chǎn)品量產(chǎn)所需的關(guān)鍵設(shè)備，能夠更好地滿足手機(jī)、固態(tài)硬盤、服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)Υ鎯ζ鞲叨水a(chǎn)品的國產(chǎn)化需求。

截止目前，通富通科項目累計投資約30億元，累計產(chǎn)值達(dá)10億元。

南通新聞報道則指出，通富通達(dá)先進(jìn)封測基地項目正式開工，通富通科Memory二期項目首臺設(shè)備正式入駐，標(biāo)志著百億級重大項目通富先進(jìn)封測基地的兩個子項目同日取得新突破。

編輯：芯智訊-林子