三星HBM因散熱與功耗問題未通過英偉達(dá)認(rèn)證

5月24日消息，據(jù)路透社引述市場人士的說法稱，三星最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片由于散熱和功耗問題，導(dǎo)致其尚未通過GPU大廠英偉達(dá)（NVIDIA）的測試認(rèn)證。

對此，三星在給路透社的聲明中表示，HBM是一款定制化內(nèi)存產(chǎn)品，需要根據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化流程。現(xiàn)階段，公司正在通過與客戶的密切合作來優(yōu)化其產(chǎn)品。不過，三星拒絕對特定客戶發(fā)表評論，輝達(dá)方面也同樣拒絕評論。

報(bào)導(dǎo)指出，HBM于2013年首次推出，其中的DRAM芯片透過垂直堆疊來節(jié)省空間，并降低功耗，有助于處理復(fù)雜的人工智能應(yīng)用所產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。隨著生成式AI熱潮對GPU的需求激增，對HBM的需求也激增。目前英偉達(dá)拿下了全球AI GPU市場超過80%的市占率，所以能打入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈就成為供應(yīng)商未來成長的關(guān)鍵。

因此，市場人士表示，自2023年以來，三星一直在努力通過英偉達(dá)對HBM3和HBM3E等產(chǎn)品的認(rèn)證。不過，最近英偉達(dá)對三星8層和12層堆疊的HBM3E芯片的認(rèn)證失敗結(jié)果已經(jīng)于四月之際公布。

對此，市場人士指出，尚不清楚這些問題是否可以輕易解決。然而，未能通過英偉達(dá)的要求增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂，使得三星可能會進(jìn)一步落后于競爭對手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM產(chǎn)能已經(jīng)被預(yù)定一空，即便是2025年的產(chǎn)能也已經(jīng)被預(yù)定。

編輯：芯智訊-林子