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量子阱 文章 最新資訊

提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率

  • 德國(guó)的研究人員報(bào)告說(shuō)，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來(lái)自柏林洪堡大學(xué)、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“隨著表面平滑的引
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量子阱介紹

　　量子阱是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢(shì)阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱寬度(只有當(dāng)阱寬尺度足夠小時(shí)才能形成量子阱)的限制，導(dǎo)致載流子波函數(shù)在一維方向上的局域化。在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長(zhǎng)形成的多層結(jié)構(gòu)中，如果勢(shì)壘層足夠厚，以致相鄰勢(shì)阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小，則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分離的量子阱，稱(chēng)為多量子阱。如果勢(shì)壘層很薄，相鄰阱之間 [ 查看詳細(xì) ]

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