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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
關鍵字：東芝 SBD SiC

美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
關鍵字： SiC 集成電路

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
關鍵字：東芝 IEGT SiC

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！　∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構Yole Développement預計，從201
關鍵字：美高森美 MOSFET SiC

耐高溫半導體解決方案日益受到市場歡迎

　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場大范圍推廣。　　諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術與 CISSOID 的技術及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅(qū)動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調(diào)節(jié)器?！　ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
關鍵字： CISSOID 諾衛(wèi)卡 SiC

電容器

　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！　eraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術相比：由于該款新電容
關鍵字： TDK 電容器 CeraLink SiC

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關鍵字： SiC GaN

在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設計更簡易的...
關鍵字：光伏逆變器 SiC BJT

通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
關鍵字：三菱電機 SiC

SiC二極管通過基片薄型化降低導通電阻

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
關鍵字： SiC 二極管

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
關鍵字：新日本無線 SiC-SBD MUSES

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應用。
關鍵字：美高森美 SiC

功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
關鍵字：功率半導體 SiC GaN

山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務

　　在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業(yè)務的亞洲企業(yè)紛紛出展。　　山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
關鍵字： SiC 晶圓

PV逆變器應用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
關鍵字： PV 逆變器 SiC 功率元件

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結(jié)構可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構的大周期結(jié)構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]