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共集電極電路分析：圖文+實際案例計算

  • 今天給大家分享的是：BJT 共集電極放大電路一、什么是共集放大器？BJT 共集放大器是三種基本單極放大器拓?fù)渲?。共集電極放大器也被叫做射極跟隨器（電壓跟隨器），具有高輸入阻抗，低輸出阻抗，具有大約1的同相增益，不產(chǎn)生電壓增益，但提供電流增益，從而提供總體功率增益。由于“緩沖”功能，通常用于高阻抗輸入和低阻抗輸出之間（即適合驅(qū)動高耗電負(fù)載）。下面為共集放大器特性：共集放大器二、基本共集電極 BJT 放大器基本共集電極 BJT 放大器的原理圖 如下所示：基本共集電極 BJT 放大器除了基極-發(fā)射極
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一文帶你搞懂光耦電路設(shè)計，設(shè)計步驟+實際案例

  • 今天給大家分享的是光耦電路設(shè)計。光耦電路的設(shè)計像設(shè)計 BJT 電路一樣。如果 BJT 有增益或者電流增益，那光耦合器就有 CTR 或電流傳輸比。了解 CTR，并使用，那光耦合電路設(shè)計的就會變得容易。一、什么是光耦合器的 CTR？CTR 也就是電流傳輸比，是集電極與正向電流的比率，用%表示：CTR = ( Ic / If ) x 100%集電極電流是流向光耦合器晶體管側(cè)集電極的電流，另一方面，正向電流是流向光耦合器二極管側(cè)的電流?；旧?，二極管側(cè)通過器件電流傳輸比鏈接到晶體管側(cè)。在設(shè)計光耦合器電路設(shè)計時，也
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電壓可以是負(fù)的嗎？了解負(fù)電壓

  • 除了解釋負(fù)電壓的性質(zhì)外，本文還簡要討論了負(fù)電壓是如何產(chǎn)生的，以及為什么它們在電路設(shè)計中有用。負(fù)電壓的概念有時不如正電壓的概念直觀。也許這是因為許多低電壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源，或者因為“負(fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的能力來驅(qū)動電流通過電路。盡管許多有用甚至高性能的設(shè)備可以在沒有負(fù)電壓的情況下設(shè)計和實現(xiàn)，但了解負(fù)電壓是了解一般電壓的關(guān)鍵，大多數(shù)從事電子工作的人最終會遇到需要負(fù)電壓電源的電路（圖1）。同時使用正極和負(fù)極電源的B類音頻放大器的示意圖。圖1。同時使用正極和負(fù)極電源的B類音頻放大器的示意圖。你
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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放大器設(shè)計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有
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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：將BJT連接為二極管

  • 簡單的NPN二極管連接目標(biāo)：本次實驗的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管(BJT)連接為二極管時的正向/反向電流與電壓特性。材料：?? ?ADALM2000 主動學(xué)習(xí)模塊?? ?無焊面包板?? ?一個1 kΩ電阻（或其他類似值）?? ?一個小信號NPN晶體管(2N3904)說明：NPN晶體管的發(fā)射極-基極結(jié)的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實驗室硬件和以下連接來測量。使用面包板，將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器
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開關(guān)電源設(shè)計：何時使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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開關(guān)電源設(shè)計：何時選擇BJT優(yōu)于MOSFET？

  • 開關(guān)電源設(shè)計：何時選擇BJT優(yōu)于MOSFET？-MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 （BJT） 可能仍然會有一定的優(yōu)勢。特別是在離線電源中，成本和高電壓（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的兩大理由。
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深入淺出常用元器件系列——BJT

  • 　　一.晶體管主要參數(shù) 　　晶體管主要參數(shù)我們在課本上都學(xué)習(xí)過，這里不多說。只是提醒幾個容易忽略的問題。 　　1.發(fā)射結(jié)反向電壓， 　　這是晶體管的一個極限參數(shù)，也就是說如果這個參數(shù)超額使用晶體管很容易損壞。在datasheet中這個參數(shù)用V(BR)EB。這個參數(shù)的是指，當(dāng)集電極開路時，發(fā)射極-基極的反向擊穿電壓。在正常工作狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)是正偏的或截止的，不存在問題。然而在某些場合，例如工作開關(guān)狀態(tài)時，由于寄生參數(shù)的影響，發(fā)射結(jié)上有可能出現(xiàn)較大的反向電壓擊穿晶體管。所以在設(shè)計電路時需要小心考慮這個參
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BJT參數(shù)測試儀中數(shù)控微電流源研究與實現(xiàn)

  • 　　本文介紹了滿足小功率BJT參數(shù)測試要求的雙極性高精度數(shù)控微電流源，預(yù)置電流直接送入被測三極管的基極，這樣就不需對基極電流進(jìn)行采樣，不但簡化了電路設(shè)計，而且減小了系統(tǒng)測試誤差?！　≡跀?shù)字式BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極面結(jié)型晶體管)參數(shù)測試系統(tǒng)中為了準(zhǔn)確測量交直流放大倍數(shù)、輸入/輸出特性曲線等特性參數(shù)，需要在被測三極管的基極加合適的偏置電壓，并且所加的偏置電壓根據(jù)測試的具體參數(shù)不同其大小要能程控變化;另一方面，小功率BJT的基極輸入電流較小，對其進(jìn)行取樣、處理過程中
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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（3）

  • 　　簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 　　1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 　　2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
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在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

  • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的...
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深入淺出常用元器件系列——BJT

  • 現(xiàn)在IC技術(shù)日新月異，無論是擬電路還是數(shù)字電路都在高度集成化。十幾年前由電視同收音機等設(shè)備里面那種密密麻麻的三極管放大電路已經(jīng)不見蹤影，三極管在電路里面的重要性也在逐漸降低，但做為IC電路的基本組成單元，掌握晶體管的相關(guān)知識，對電路的理解將會有相當(dāng)大的不同。
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小功率BJT管腳管型自動判別電路設(shè)計

  • 　引言　　在電子技術(shù)中，三極管是使用極其普遍的一種元器件，三級管的參數(shù)與許多電參量的測量方案、測量結(jié)果都有十分密切的關(guān)系，因此，在電子設(shè)計中，三極管的管腳、類型的判斷和測量非常重要。測量三極管管腳的方
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BJT參數(shù)測試儀中數(shù)控微電流源研究與實現(xiàn)

  • 在數(shù)字式BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極面結(jié)型晶體管)參數(shù)測試系統(tǒng)中為了準(zhǔn)確測量交直流放大倍數(shù)、輸入／輸出特性曲線等特性參數(shù)，需要在被測三極管的基極加合適的偏置電壓，并且所加的偏置電壓根據(jù)測試的具
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bjt介紹

雙載子接面晶體管（Bipolar Junction Transistor，又稱雙極晶體管、雙載子接面三極管）根據(jù)不同的摻雜方式，在同一硅芯片上，制造出三個摻雜區(qū)域，形成兩個 P-N 結(jié)。 基本上依照極性可分成NPN 、PNP 兩種類。 以 NPN 晶體管為例：在雙載子接面晶體管里，雖然基極內(nèi)的電洞較多，是多數(shù)載子。但是電流的傳遞，主要卻是透過基極里的少數(shù)載子（即電子）來完成的，也因此 BJT [ 查看詳細(xì) ]

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