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rf-cmos 文章 最新資訊

基于ADL5354設(shè)計(jì)的高性能RF混頻方案

  • ADL5354是高度線性雙平衡(RF和LO平衡)RF混頻器,輸入頻率從2300 MHz 到2900 MHz.平衡的無源混頻器具有良好的LO-RF泄漏,優(yōu)于-35dBm.IF頻率范圍從30MHz到450MHz,功率轉(zhuǎn)換增益8dB,單邊帶(SSB)噪音10dB,輸入IP3為25dBm,輸
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探討：干擾噪聲系統(tǒng)基本知識(shí)

  • 想像一下，如果電路不工作，隨處添加一個(gè)去耦電容（例如0.01μF陶瓷圓盤電容），修好了！或者當(dāng)電路傳出噪聲時(shí)，一塊屏蔽...
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場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品 尼康V1全面拆解

  • 半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對(duì)尼康新出品的微單相機(jī)V1做了非常詳細(xì)而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當(dāng)其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
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SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

  • 致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會(huì)議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺(tái)的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。
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一種基于動(dòng)態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

  • 摘要 分析了以動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號(hào)的輸入晶體管，利用4個(gè)動(dòng)態(tài)閾值NMOS和2個(gè)有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
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共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

  • 利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
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ANADIGICS 4G功率放大器再出新品

  • ANADIGICS, Inc. 是全球首屈一指的射頻 (RF) 半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商。該公司今日宣布其移動(dòng)4G功率放大器 (PA)系列再添新品。這款新型AWM6268 WiMAX/LTE功率放大器具有世界一流的線性度和集成度，與ANADIGICS最新的WiMAX解決方案相似，為2.5 GHz至2.7 GHz頻段提供了更高的輸出功率，提升了傳輸范圍和吞吐量。該器件還具有出色的線性度和輸出功率，可完美支持LTE應(yīng)用。ANADIGICS出品的4G功率放大器專門針對(duì)高速寬帶無線設(shè)備而優(yōu)化，如智能手機(jī)、筆記本電腦、
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RF抗干擾能力測(cè)試裝置

  • RF抗干擾能力測(cè)試裝置目前，大多數(shù)蜂窩電話采用時(shí)分多址(TDMA)標(biāo)準(zhǔn)，這種復(fù)用技術(shù)以217Hz的頻率對(duì)高頻載波進(jìn)行 ...
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家用電熱水器設(shè)計(jì)方案

  • 1.應(yīng)用前景目前市場(chǎng)上熱水器品種主要有電熱水器、太陽能熱水器、燃?xì)鉄崴?。就?guó)內(nèi)具體情況而言，現(xiàn)在很多...
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CMOS與CCD圖像傳感器

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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利用S參數(shù)對(duì)RF開關(guān)模型進(jìn)行高頻驗(yàn)證

  • S參數(shù)簡(jiǎn)介S（散射）參數(shù)用于表征使用匹配阻抗的電氣網(wǎng)絡(luò)。這里的散射是電流或電壓在傳輸線路中斷情況下所受影響的方式。利用S參數(shù)可以將一個(gè)器件看作一個(gè)具有輸入和相應(yīng)輸出的“黑匣子”，這樣就可以進(jìn)行系
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不同電源供電的器件間的橋接

  • 半導(dǎo)體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
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CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
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