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rf-cmos 文章 最新資訊

PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
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選擇RF和微波濾波器的八大竅門(mén)

  • 在不了解會(huì)受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識(shí)的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無(wú)線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)...
  • 關(guān)鍵字： RF  微波  濾波器  

基于OFDM的WiMAX RF系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 固定WiMAX標(biāo)準(zhǔn)基于正交頻分復(fù)用(OFDM) 技術(shù)，使用256個(gè)副載波; 該標(biāo)準(zhǔn)支持1.75~ 28 MHz范圍內(nèi)的多個(gè)信道帶寬，同時(shí)支持多種不同的調(diào)制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM?！　? 主要芯片完成功能
    　　本設(shè)備采用
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  RF  WiMAX  OFDM  基于  

RF CO2激光電源類別與原理

  • 關(guān)于激光頭的準(zhǔn)電感諧振技術(shù)。為了使輸入射頻沿激光器長(zhǎng)度，電壓分布均勻，加入一對(duì)電感并聯(lián)在諧振腔上下電極之間。這樣，由于電感負(fù)導(dǎo)納的補(bǔ)償作用，使激光器沿長(zhǎng)度上的駐波比大大下降，失配角小于9°，理論計(jì)算結(jié)果電壓不均勻度小于3％。
  • 關(guān)鍵字： 類別  原理  電源  激光  CO2  RF  

ADI新推出高動(dòng)態(tài)范圍、單通道混頻器系列樹(shù)立性能水平新標(biāo)桿

  • AnalogDevices,Inc.（紐約證券交易所代碼：ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出五款針對(duì)衛(wèi)星通信、無(wú)線基站、點(diǎn)到點(diǎn)無(wú)線電鏈路、儀器儀表和軍事設(shè)備等高動(dòng)態(tài)范圍應(yīng)用的單通道RF混頻器系列，從而擴(kuò)充了其 RF IC 產(chǎn)品系列。
  • 關(guān)鍵字： ADI  RF  

EMI/RF吸波材料性能比較

  • 隨著工程師們需要遵循的輻射電磁干擾(EMI)規(guī)范的不斷增多，市場(chǎng)上開(kāi)始出現(xiàn)各種類型的EMI吸波材料。一般而言，市場(chǎng)上所提供的這些吸波材料的厚度很薄并具有很好的外形柔韌性，再加上其背面帶有粘合劑的設(shè)計(jì)使得我們能
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SoC發(fā)射器簡(jiǎn)化RF遙控器設(shè)計(jì)

  • 最常見(jiàn)的遙控器使用紅外(IR)技術(shù)，這主要是因?yàn)榧t外元件成本相對(duì)較低，但這些基于IR的控制器有許多缺陷，包括需要在視角范圍內(nèi)、操作角度限制、傳輸距離短、與IR LED相關(guān)的反射和高電流消耗等，這些缺陷大大縮短了電池壽命。RF遙控器解決了這些問(wèn)題，并且由于可帶給用戶更好的使用體驗(yàn)，產(chǎn)品也日益豐富。此外，技術(shù)改進(jìn)正在使得RF-IR元件之間的價(jià)格差越來(lái)越小。
  • 關(guān)鍵字： 遙控器  設(shè)計(jì)  RF  簡(jiǎn)化  發(fā)射器  SoC  

一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對(duì)軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開(kāi)關(guān)控制來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
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用于EMI/RF吸波材料性能比較

  • 本文設(shè)計(jì)加工了一種簡(jiǎn)單的表面電流減少測(cè)試裝置，通過(guò)它可以在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下對(duì)不同EMI吸波材料的吸波性能進(jìn)行相對(duì)的比較。盡管吸波材料所引起的表面電流的減少量并不完全等于預(yù)期的EMI減少量的測(cè)量值，但該方法可以很快的確定在特定頻率范圍內(nèi)具備最佳吸波性能的材料。
  • 關(guān)鍵字： 比較  性能  材料  EMI/RF  用于  

簡(jiǎn)化多模多頻帶3G手機(jī)的RF前端設(shè)計(jì)

  • 　　手機(jī)市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)推動(dòng)制造商去尋找新的降低成本、印制電路板(PCB)面積和功率損耗的設(shè)計(jì)方法。同時(shí)，第三代(3G)網(wǎng)絡(luò)的首次展示已打開(kāi)各種新型多媒體和以實(shí)驗(yàn)為依據(jù)的應(yīng)用之門(mén)，從無(wú)線網(wǎng)絡(luò)接入和移動(dòng)視頻到文本發(fā)
  • 關(guān)鍵字： RF  前端  設(shè)計(jì)  手機(jī)  3G  多模  頻帶  簡(jiǎn)化  

基于3G手機(jī)的RF屏蔽設(shè)計(jì)

  • 　蜂窩發(fā)射模塊對(duì)手機(jī)內(nèi)的任何元件來(lái)說(shuō)都將產(chǎn)生最大的輻射功率，從而可能誘發(fā)EMI和RFI。類似這樣的問(wèn)題可以采用RF屏蔽技術(shù)來(lái)降低與EMI及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對(duì)外部磁場(chǎng)的敏感度降至最低。那么，什么樣的
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雙眼勝過(guò)單目：大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

玩具常用RF接收電路設(shè)計(jì)(3張高頻部分)

  • 超再生檢波接收器：超再生檢波電路實(shí)際上是一個(gè)受間歇振蕩控制的高頻振蕩器，這個(gè)高頻振蕩器采用電容三點(diǎn)式振蕩器，振蕩頻率和發(fā)射器的發(fā)射頻率相一致。而間歇振蕩（又稱淬裝飾振蕩）雙是在高頻振蕩的振蕩過(guò)程中產(chǎn)生
  • 關(guān)鍵字： 高頻  部分  電路設(shè)計(jì)  接收  常用  RF  玩具  

低功率CMOS無(wú)線射頻芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • 無(wú)線通訊市場(chǎng)的趨勢(shì)一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
  • 關(guān)鍵字： 低功率  CMOS  無(wú)線射頻芯片  Zigbee  
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rf-cmos介紹

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