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rf-cmos 文章 最新資訊

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計

  • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計是CMOS集成電路可靠性設(shè)計的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
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用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計及其成像驗證

  • 摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設(shè)計方向，設(shè)計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
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RF WCDMA 基準(zhǔn)比較測試白皮書

  • 概覽通過與傳統(tǒng)的儀器進(jìn)行比較，了解軟件定義的PXI RF儀器在速度上的優(yōu)勢。如WCDMA測量結(jié)果所示，基于多核處理器并行執(zhí)行的LabVIEW測量算法與傳統(tǒng)儀器相比可以實現(xiàn)明顯的速度提升。 介紹你在早晨7:00伴著搖滾音樂的聲
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數(shù)碼相機的CMOS傳感器知識介紹

  • 標(biāo)簽：數(shù)碼相機 CMOS數(shù)碼相機的另一個靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專業(yè)級數(shù)碼相機后，人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因為，CMOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
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CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

  • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個主要類別，都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評價一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些？下面來為大家詳細(xì)說明。CCD和CMOS圖
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淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

  • 標(biāo)簽：CMOS CCD無論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此。基本組成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
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基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計

  • 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設(shè)計進(jìn)行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
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采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計

  • O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流
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CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

  • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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基于CMOS電路的IDDQ測試電路設(shè)計

  • 引言　　測試CMOS電路的方法有很多種，測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測試，即通常所說的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤，但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
  • 關(guān)鍵字： CMOS  IDDQ  電路  測試    

RF電路板分區(qū)設(shè)計中PCB布局布線技巧介紹

  • 今天的蜂窩電話設(shè)計以各種方式將所有的東西集成在一起，這對RF電路板設(shè)計來說很不利?，F(xiàn)在業(yè)界競爭非常激烈，人人都在找辦法用最小的尺寸和最小的成本集成最多的功能。模擬、數(shù)字和RF電路都緊密地擠在一起，用來隔開
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小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

  • XC6420系列是實現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電壓  調(diào)整器IC  

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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2G至3.5G蜂窩移動設(shè)備的高效RF功率管理

  • 標(biāo)簽：蜂窩移動 RF功率管理大家是否注意到人們對移動設(shè)備，尤其是對智能手機的著迷程度到了何種地步?人們在用智能手機進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)沖浪、查收和編寫電子郵件、玩網(wǎng)絡(luò)游戲或者更新社交網(wǎng)絡(luò)等活動。所有這些活動，外加撥打
  • 關(guān)鍵字： RF  功率  管理  高效  設(shè)備  3.5G  蜂窩  移動  2G  

CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
  • 關(guān)鍵字： 對比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  
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