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美光突破PC性能邊界，推出自適應寫入技術(shù)與G9 QLC NAND

  • SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

  • 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

  • 據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

  • AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)預測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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Solidigm全新大容量QLC SSD，彰顯領先實力

  • 近日，MTS 2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會在深圳召開。Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰發(fā)表了主題為《高效存儲，擁抱AI》的精彩演講，深入介紹了Solidigm在推動存儲技術(shù)創(chuàng)新、提高存儲效能以應對人工智能挑戰(zhàn)等方面的進展和洞察，并隆重介紹了剛剛發(fā)布的QLC產(chǎn)品—— 122TB 的Solidigm? D5-P5336，獲得了與會嘉賓的廣泛關(guān)注。龐大的訓練數(shù)據(jù)集是AI從想象跨越到現(xiàn)實的關(guān)鍵橋梁，存儲則扮演著妥善破解數(shù)據(jù)管理難題、確保數(shù)據(jù)有效服務于AI的重要角色。目前，許多著眼于AI戰(zhàn)略的企業(yè)早已意識到，存
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我國科學家技術(shù)突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀：TLC、QLC買誰 恐不再糾結(jié)

  • 7月1日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，四川科學家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學、中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經(jīng)歷反復極化切換后，極化只能實現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn)，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報道，
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Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級存儲客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領域的長期領導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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西部數(shù)據(jù)推出針對OEM廠商的全新商用SSD，樹立下一代QLC產(chǎn)品性能標桿

  • 數(shù)字化時代的高速發(fā)展要求推動未來技術(shù)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲也持續(xù)迭代革新。為滿足用戶對于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多樣化存儲需求，西部數(shù)據(jù)公司近日宣布推出搭載下一代高性能QLC（四級單元）的西部數(shù)據(jù)? PC SN5000S NVMe? SSD，從而為 PC OEM 廠商提供創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案，幫助用戶輕松應對繁重的工作負載。據(jù)IDC[i]預測，到2026年，有超過50%的商用SSD將采用QLC NAND閃存?；诖耍钍苁袌鲂刨嚨母叨舜鎯ζ放莆鞑繑?shù)據(jù)推出了此次強大的存儲解決方案
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分區(qū)存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備

  • 目前應用在移動終端的嵌入式存儲設備（這里主要指UFS/eMMC等，以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲設備”）中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化，比如一些數(shù)據(jù)中心（讀密集型應用）已經(jīng)在部署QLC存儲設備。QLC可以給存儲設備帶來更低的成本，作為消費級產(chǎn)品的嵌入式存儲設備，未來引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。（Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對比） 因此，QLC要應用在
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Intel全球首發(fā)144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

  • 今天舉辦的2020內(nèi)存存儲日活動上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲新產(chǎn)品，首先來看面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會繼續(xù)執(zhí)行，同時交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會持續(xù)推進。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進化為TLC顆粒，存儲密度提高了13
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QLC SSD不好？只是價格還不夠理想而已！

  • 說到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費級SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時候就因為其性能表現(xiàn)欠佳，而引發(fā)了不少用戶和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒有實際意義？它是不是大號U盤？等等。雖然剛開始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度，但是隨著其售價不斷的下探，主打的大容量和讀寫性能的強勁，還是有不少玩家無法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開始消費者的遲疑反應而言，無論
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群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤：15.36TB、掀翻HDD

  • HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規(guī)標準，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續(xù)讀取為530MB/s，連續(xù)寫入為220MB/s，4K隨機讀取90K IOPS，4K隨機寫入10K IOPS，功耗4.5W。這個QLC硬盤的性
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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相

  • Q3季度閃存價格又要跌10%，今年6大原廠將會把重點轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點不容錯過！

  • 寂半年之后，無論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機器人、新能源汽車，還有會跳舞的機器人，這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作，也更聚焦于時代風口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結(jié)合。對于即將到來的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場，你準備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領產(chǎn)業(yè)發(fā)展風向標,第八
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