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高性能的便攜應(yīng)用ESD保護(hù)方案

- 隨著手機(jī)等便攜設(shè)備中具備更多的功能,可供靜電放電(ESD)電壓進(jìn)入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多,包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機(jī)插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護(hù)。根據(jù)電容及數(shù)據(jù)率的不同,便攜設(shè)備的ESD保護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域可分為大功率、高速和極高速等三個(gè)類型,其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF,參見表1。由此表中可見,速度越高的應(yīng)用要求的電容也越低,這是因?yàn)楦咚賾?yīng)用中更需要維持信號(hào)完整性及降低插入損耗。 表1:便攜
- 關(guān)鍵字: 安森美 ESD 便攜設(shè)備 CMOS芯片 TVS
英飛凌推出便攜式電子設(shè)備保護(hù)二極管
- 在冬天干熱的室內(nèi),人們經(jīng)常會(huì)體會(huì)到靜電放電。穿戴套頭衫或其它合成纖維衣服,常常會(huì)出現(xiàn)電花四濺的現(xiàn)象。這些微小的電花就是釋放的靜電,它的電壓和電流可分別高達(dá)15,000伏和50安。如果釋放的靜電遇到散熱器或水管等接地物體,不會(huì)造成任何傷害。但如果釋放的靜電進(jìn)入手機(jī)或其它消費(fèi)類電子設(shè)備,可能會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞設(shè)備內(nèi)部高度集成的電路,除非設(shè)備采用TVS二極管等專用ESD組件。 靜電放電保護(hù)TVS二極管技術(shù)領(lǐng)袖英飛凌近日推出全球最小的TVS二極管。這種二極管的外形尺寸僅為0.6mm(長) x 0.3mm(寬)x
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 英飛凌 TVS 二極管 模擬IC 電源
淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件
- 日常生活中,ESD (Electro-Static Discharge,靜電放電)對于我們來說是一種常見的現(xiàn)象,然而對電子產(chǎn)品而言,ESD往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損,直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命,甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此,ESD防護(hù)一直以來都是工程師們的工作重點(diǎn)。對于剛開始職業(yè)生涯的電子工程師而言,在掌握專業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn),足見ESD防護(hù)的地位與重要性。 圖1 電子顯微鏡下IC內(nèi)部損毀的照片 一般,ESD保護(hù)一般通過
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TVS器件信息設(shè)備ESD防護(hù)中的應(yīng)用
- 引言 隨著電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展,當(dāng)前半導(dǎo)體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化,特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求比較嚴(yán)格的應(yīng)用,很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護(hù)元件的選擇根據(jù)所要保護(hù)的布線情況、可用的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來決定。因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄,柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路,對電路瞬變過程的影響更加敏感,這將導(dǎo)致上述問題加重。因此要求保護(hù)器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
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TVS瞬態(tài)干擾抑制器性能與應(yīng)用
- 摘 要: 本文闡述了電子設(shè)備瞬態(tài)干擾產(chǎn)生的機(jī)理,介紹了TVS瞬態(tài)干擾抑制器件的工作原理、特性參數(shù)及在電子設(shè)備中的設(shè)計(jì)應(yīng)用。關(guān)鍵詞: 瞬態(tài)干擾;TVS;設(shè)計(jì)應(yīng)用瞬態(tài)干擾瞬態(tài)干擾指交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等瞬間干擾信號(hào),其特點(diǎn)是作用時(shí)間極短,但電壓幅度高、瞬態(tài)能量大。瞬態(tài)干擾會(huì)造成控制系統(tǒng)的電源電壓的波動(dòng);當(dāng)瞬態(tài)電壓疊加在控制系統(tǒng)的輸入電壓上,使輸入控制系統(tǒng)的電壓超過系統(tǒng)內(nèi)部器件的極限電壓時(shí),便會(huì)損壞控制系統(tǒng)內(nèi)部的設(shè)備,因此必須采用抑制措施。 硅瞬變吸收二極管硅瞬變吸收二極管的工作有點(diǎn)
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