nand flash 文章最新資訊

預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
關鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce

NAND閃存市場，開始洗牌

最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經傳來消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
關鍵字： NAND

傳三星計劃2024年將量產第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現(xiàn)量產。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
關鍵字：三星第九代 V-NAND 閃存

三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠

三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
關鍵字：三星 NAND 西安

三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產設備

據(jù)悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
關鍵字：三星電子 NAND

第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且服務器領域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
關鍵字： NAND Flash TrendForce

三星、SK海力士拿到無限期豁免權

10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
關鍵字：三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備

存儲芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
關鍵字： NAND SSD DRAM

1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術競賽仍在繼續(xù)

盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
關鍵字： DRAM NAND 存儲

消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產量，眼下正試圖推動
關鍵字：三星 NAND flash 漲價

面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內需求的產品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
關鍵字： CHIPS法案韓國半導體 DRAM NAND

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產，已經市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產行列，且預期第三季將擴大減產幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產業(yè)供應商家數(shù)多，在庫存仍高的情
關鍵字： NAND Flash TrendForce

NAND Flash第四季價格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大，銷售價格皆已接近生產成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產，以期帶動價
關鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

行業(yè)庫存情況如何？國內一存儲廠商回應

近日，存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關系活動記錄表。關于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經幾近健康，設計原廠的庫存調整也逐步接近尾聲。接下來一段時間，各廠商依然會采取適當?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預計下半年會持續(xù)向好，價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢，公司將密切關注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調，公司將積極地進行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調整以應對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機遇與挑戰(zhàn)并存，公司會充分發(fā)揮公司的
關鍵字：存儲普冉股份 NOR Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]