nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
關(guān)鍵字：存儲器、NAND、DRAM

武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
關(guān)鍵字：武漢新芯 50nm SPI NOR Flash

引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
關(guān)鍵字： QLC NAND 內(nèi)存

SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關(guān)鍵字： SK 4D NAND 128層

?？煽菔蔂€，程序存儲的空間也會變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個更為專業(yè)一點的術(shù)語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
關(guān)鍵字： RAM flash 程序

兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?！爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥?nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
關(guān)鍵字： NOR Flash

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝存儲器 XL-Flash

中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字： 3D NAND

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游
關(guān)鍵字：日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
關(guān)鍵字： SK海力士 4D NAND 128層

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲器 NAND Flash

NAND閃存連跌一年半減產(chǎn)也阻止不了跌價

NAND閃存價格已經(jīng)連跌了6個季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上，群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價格已經(jīng)跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
關(guān)鍵字： NAND 減產(chǎn)

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
關(guān)鍵字：紫光集團長江存儲 3D NAND

數(shù)據(jù)存儲很重要，這塊把錢省不掉？

多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候，我才知道，原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)存儲 EEPROM Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]