nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破

　　由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性?！　?nbsp; 　　上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當下，一些強大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
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美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經(jīng)濟實惠的 SATA 平臺。　　利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想，最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。　　DRAM無新增產(chǎn)能　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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Linux驅(qū)動之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了

　　Nand Flash 是一個存儲芯片?！　∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A”　　問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂?　　答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，當ALE為高電平時傳輸?shù)氖堑刂贰　?：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！　〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，也傳輸命令　　當ALE為高
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3D NAND存儲助力智能手機應(yīng)用進入新時代

　　前言　　全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應(yīng)用，而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(VR)/增強現(xiàn)實(AR)等方面更大的技術(shù)進步?！　≡谀承┑貐^(qū)，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經(jīng)習(xí)慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群，這些用戶經(jīng)常使用高級在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
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美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)

　　美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場?！　〈舜伟l(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨立開發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開發(fā)，該技術(shù)將在 2018 年末交付，并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點之后，兩家公司將獨
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存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產(chǎn)計畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！　?nbsp; 　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據(jù)外電的報導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。　　事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當中，預(yù)計將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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STM32的flash知識詳解

　　說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)?！　LASH分類　　根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當使用ISP方
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中國反壟斷機構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

　　DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]