nand flash 文章最新資訊

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
關鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設計中的關鍵技術

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫(yī)療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
關鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計

Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關鍵字： NOR Flash 接口單片機

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應用

以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘要的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特性，結合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。
關鍵字： DSP Flash TI

Flash數據丟失，說好的數據去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
關鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導體收入增長2.6%

　　全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產業(yè)增長率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導體產業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強，定價環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
關鍵字：半導體 NAND

物聯(lián)網風起我國亟需建設自主存儲

　　“物聯(lián)網”是指連接到互聯(lián)網的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術語的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。本文將對體系架構及其與內存
關鍵字：物聯(lián)網 NAND

東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產良機。　　美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
關鍵字：東芝 NAND

中國必須建設自主存儲，為什么？

在即將到來的物聯(lián)網的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
關鍵字： NAND 長江存儲

東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資

　　東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。　　潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發(fā)東芝財務危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
關鍵字：東芝 NAND

傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達219.5億美元

　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
關鍵字：三星 NAND

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應及可靠度仍為技術關鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關鍵字：摩爾定律 3D NAND

麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

　　據外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。　　據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。　　他指出，建構數據中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
關鍵字： DRAM Flash

日美“卡脖子” 國產大存儲崛起能否取得成功？

　　小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎? 　　其實現(xiàn)實生活也是如此。　　前不久,美國
關鍵字：晶圓 NAND

2019量產64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機密

　　國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
關鍵字：紫光 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]