nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

　　根據 SEMI (國際半導體產業(yè)協會) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。　　SEMI 中國臺灣地區(qū)產業(yè)研究資深經理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內，全球半導體產業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
關鍵字：晶圓 NAND

賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標準的DDR4 NVDIMM-N解決方案

　　賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領先的在JEDEC 標準發(fā)布之前就已量產的傳統DDR4 NVDIMM產品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產品和控制器解決方案?！　g
關鍵字：賽普拉斯 NAND

盤點+分析：Flash原廠2016年財報

2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現產能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少，以及投資成本增加。
關鍵字： Flash 三星

存儲器國產化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。　　為什么中國要發(fā)展存儲產業(yè) 　　在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據他的說法，在全球的半導體存儲產品中，NAND 和
關鍵字：存儲器 NAND

DRAM/NAND價格回升存儲器產值今年將增10%

　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
關鍵字： DRAM NAND

中國集成電路擴建之后降低成本是關鍵

　　或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。　　長江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境;華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產平臺，追趕國際先進水平。　　隨著《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進，中國IC業(yè)
關鍵字：集成電路 NAND

紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工總投資超240億美元

　　中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產業(yè)界震撼。　　紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠” 　　2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協議，要在四川打造百億云計算中心。　　12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
關鍵字：紫光 NAND

漫漫存儲路中國還有幾道關卡待過

現在行業(yè)內的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
關鍵字：存儲路 NAND

大陸韓國擴產競賽 Flash后年產能恐過剩

　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現，埋下隱憂。　　目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數。　　稍早三星和美光也都
關鍵字： Flash 晶圓

2017年NAND產能成長有限、價格走揚

　　2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。　　TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續(xù)往上。　　DRAMeXch
關鍵字： NAND TrendForce

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。　　SK海力士曾在20
關鍵字： NAND Flash SK海力士

美光：3D NAND產能總容量已高于2D　二代3D NAND將進入大批量產

　　美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產上已取得重要歷程碑。　　科技網站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產數量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產能的總容量已高于2D產品。　　據悉，美光2D和3D NAND生產采用完全不同的技術。 2D NAND生產依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
關鍵字：美光 NAND

東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
關鍵字：東芝 NAND

美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產

　　今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產了。　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
關鍵字：美光 NAND

?NAND缺口達顛峰　推升SSD價漲逾10%

　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。　　DRAM
關鍵字： ?NAND SSD

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]