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nand 閃存 文章 最新資訊

三星西安廠事故導致NAND價格爆沖22%

  • 　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉(zhuǎn)趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。 　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NA
  • 關鍵字： 三星  NAND  

東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

  • 　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一! 　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。 　　這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領域，初期主要供應持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

東芝3D閃存芯片：存儲容量將提高三成

  • 　　目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭，而東芝領先了一局，該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。 　　   　　手機內(nèi)存越配越高 　　據(jù)日本經(jīng)濟新聞周六報道，本財年內(nèi)(明年三月底之前)，東芝公司將會投產(chǎn)最新一代的3D閃存，這將領先于閃存老對手三星電子。 　　眾所周知的是，東芝因為財務丑聞，公司運營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術優(yōu)勢的閃存業(yè)務，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

東芝將領先三星推出64層3D NAND Flash

  • 　　據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。 　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

中國半導體業(yè)崛起策略：三駕馬車并用

  • 有關中國半導體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關鍵在于執(zhí)行，以及達成何種效果。受現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產(chǎn)業(yè)的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
  • 關鍵字： 半導體  NAND  

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 　　關于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
  • 關鍵字： 東芝  3D NAND  

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關鍵字： 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術優(yōu)勢

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術優(yōu)勢。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關鍵字： 三星  3D NAND  

三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關鍵字： 3D NAND  半導體  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
  • 關鍵字： NAND Flash  

中國成為全球新建晶圓廠主要推手

  • 　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。 　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。 　　   　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
  • 關鍵字： 晶圓  NAND  

三星否認擴產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%

  • 　　據(jù)韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內(nèi)容相當可信。 　　barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 　　另外，三星也將善用Line
  • 關鍵字： 三星  NAND  

中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

  • 　　中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能，預估有超過一半都將來自中國。 　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
  • 關鍵字： 半導體  NAND   
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nand 閃存介紹

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