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nand 閃存 文章 最新資訊

東芝計劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房

  • 　　東芝近日公布聚焦能源、社會基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區(qū)域建造新廠房以及引進生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會批準(zhǔn)。 　　閃存廣泛應(yīng)用于智能手機等產(chǎn)品，根據(jù)預(yù)測，以企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠將進行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)中，能夠高效利用與2D閃存通用的現(xiàn)有制造工序。在四
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑

  • 　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

  • 在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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春季上新朗科閃存盤集合完畢 開學(xué)季待你檢閱

  • 　　新學(xué)期伊始，全國各地的大學(xué)生們也全部返校，開始了新學(xué)期緊張的學(xué)習(xí)生活。新學(xué)期，新氣象，沒有一款得心應(yīng)手的閃存盤怎么“漲姿勢”呢?朗科閃存盤春季上新集合完畢，正在熱切期待你的檢閱!還有上班一族、商務(wù)人士，也來為自己選購一款新裝備吧!　　    　　U712C閃存盤　　朗科U712C作為一款閉著眼睛都能插上的閃存盤開啟了閃存盤接口的革命，USB Type-C 新型接口讓你可隨心所欲的插入智能手機、平板電腦、筆記本，不用區(qū)分正反面，讓傻傻分不清的你再也不用
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

  • 　　國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。 　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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武漢新芯閃存芯片廠動工 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來居上？

  • 　　中國正打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。 　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國政府所有。 　　武漢新芯去年與美國閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(C
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中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代

  • 國內(nèi)終于要有了存儲，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術(shù)立足。
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東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計2016財年銷售不到5萬億日元

  • 　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。 　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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東芝將投資3,600億日圓擴大閃存芯片生產(chǎn)

  • 　　東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱，將投資3,600億日圓(合32億美元)，用于擴大閃存芯片生產(chǎn)。這是東芝為保持與韓國對手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競爭能力而推出的最新舉措。 　　東芝預(yù)計，在截至3月底的當(dāng)前財政年度內(nèi)，公司將出現(xiàn)巨額虧損。東芝正在進行全方位的企業(yè)重組，包括削減數(shù)千個工作崗位和出售較小的部門等，旨在將重心放在半導(dǎo)體及核電廠業(yè)務(wù)上。 　　東芝說，這項3,600億日圓的投資計劃將跨越未來三
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？

  • 　　為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。 　
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主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了？

  • 除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

  • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
  • 關(guān)鍵字： NAND  三星  

2015年第四季NAND廠商營收排行

  • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  

運用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)

  • 　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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nand 閃存介紹

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