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nand 閃存 文章 最新資訊

銀行債權(quán)人向東芝施壓：八月必須賣掉閃存業(yè)務

  • 　　日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務的交易，卻陷入了泥潭，讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息，東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務的轉(zhuǎn)讓。 　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結(jié)束時繼續(xù)資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。 　　據(jù)報道，東芝多家債權(quán)人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結(jié)束之前，完成全部交
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三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構(gòu)最近紛紛出具報告，強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠比DRAM
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閃存持續(xù)缺貨到明年底！SSD、手機、電腦齊悲催

  • SSD還會持續(xù)漲價嗎?答案真的不讓消費者省心。
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各家爭鳴存儲器技術(shù)標準 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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東芝公布2016財年財報：全年凈虧損88億美元 低于分析師預期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，原本在6月底就應該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。 　　在得到審計機構(gòu)的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。 　　由于美國核電業(yè)務減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。 　　在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
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1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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打破壟斷 國產(chǎn)閃存芯片之路有多遠？

  • 文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。 　　其
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東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務進展不順 日政府看不下去全面介入

  • 　　由于財務狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來越近，但是時至今日，轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務的進展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導無方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。 　　按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業(yè)務以大約180億美元的價格，轉(zhuǎn)讓給一個美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)、美國貝恩資本、韓國海力士半導體，不過東芝的芯片業(yè)務合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經(jīng)述諸法律手段。 　　有消息稱，由于和西部
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半導體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙

  • 　　根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。 　　報導中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進一步指出，半導體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續(xù)為半導體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應需要的人才。
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解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀

  • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設(shè)備等領(lǐng)域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。 　　 ? 　　2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。 　　 ? 　
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nand 閃存介紹

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