- 11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。
處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。
這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
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東芝 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 3D NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 NAND
- 2017年9月5日，工信部首次發(fā)布《中國電子信息產業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)研究報告》，其中電子信息制造業(yè)綜合指數(shù)專門針對我國產業(yè)進行規(guī)模、效益、研發(fā)、環(huán)境等全方位的評價，并包括全國、分地區(qū)和分行業(yè)三大細分指數(shù)。行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)主要通過我國與全球同行業(yè)比較的方式，明確我國產業(yè)的發(fā)展水平和特點，手機行業(yè)作為了行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)評價的首個領域。
2016年，手機行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)132分，相比2015年分數(shù)提升20%，呈現(xiàn)連續(xù)兩年增長的態(tài)勢。其中除產業(yè)效益指標得分相比2015年有所下降外，其他四個一級指標均呈現(xiàn)上漲
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OLED 閃存
- 據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。
2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
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DRAM NAND
- DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存儲器
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產線數(shù)周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。
DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產量。PCGamesN網站預估假設這段停產時間正常生產，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產
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東芝 NAND
- DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存？閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。
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flash存儲器 閃存
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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NAND magnum
- DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
- 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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3D NAND 摩爾定律
- 內存顆粒漲價狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術細節(jié)-2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個母公司強大的IP庫支持下，IMFT在同一年推出的第一個產品就讓市場深受震動。
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NAND閃存 閃存
- 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
而需求方面，手機、服務器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。
不過，來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側的產能將提升42.9%，而需求側，增長預計在37.7%。
目前在3D閃存方面，三星的轉產最為順利，已經在Q3開始量產64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。
據(jù)悉，在明年的所
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閃存 SSD
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