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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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投資機(jī)構(gòu)稱(chēng)2018年半導(dǎo)體需求將放緩良好業(yè)績(jī)難再重現(xiàn)

　　半導(dǎo)體指數(shù)在兩年的上漲中上漲了92%。　　投資者應(yīng)該有選擇性地選擇證券，并關(guān)注需求放緩。　　　　分析人士認(rèn)為，不要指望今年半導(dǎo)體類(lèi)股的領(lǐng)先市場(chǎng)表現(xiàn)會(huì)在2018年重演。　　盡管近期出現(xiàn)拋售，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)自2016年初以來(lái)已經(jīng)上漲了92%，并有望連續(xù)第二年超過(guò)所有11個(gè)標(biāo)準(zhǔn)普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。　　盡管這一趨勢(shì)并沒(méi)有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹(jǐn)慎選擇，并警惕需求放緩和庫(kù)存水平上升的跡象。　　以下是分析師對(duì)2018年的看
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中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無(wú)論是“供需論”還是“壟斷說(shuō)”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無(wú)奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺(jué)。
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)

　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。　　手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為，有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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紫光集團(tuán)：32層64G三維閃存芯片明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)表示，近年來(lái)，紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)聚焦在了集成電路上。在移動(dòng)領(lǐng)域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機(jī)芯片超過(guò)7億部套片;在存儲(chǔ)領(lǐng)域，紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片，明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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三星量產(chǎn)512GB閃存，Galaxy S9容量有望翻倍

　　三星宣布512GB閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機(jī)儲(chǔ)存容量有望從當(dāng)前最大256GB翻倍成長(zhǎng)。　　512GB閃存主要因應(yīng)4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據(jù)三星表示，新內(nèi)存芯片可容納130個(gè)10分鐘4K短片。 (日經(jīng)新聞) 　　三星從2015年開(kāi)發(fā)出128GB內(nèi)存以來(lái)，已連續(xù)三年將內(nèi)存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業(yè)化。展望未來(lái)，三星將再推出96層3D堆棧閃存。　　目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機(jī)種，不過(guò)三
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層　群聯(lián)準(zhǔn)備好了

　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉(zhuǎn)換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了，呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理。　　在此職位上，Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案，從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶(hù)端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?！　icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，包括在 Intel、
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旺宏NAND論文獲國(guó)際肯定

　　內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國(guó)際電子組件大會(huì)(IEDM)，被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國(guó)際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。　　旺宏強(qiáng)調(diào)，獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，NAND閃存超級(jí)周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。
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c行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

　　摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利恐難顯著成長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險(xiǎn)隨之升高;在此同時(shí)，2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，N
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讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

　　被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來(lái)的發(fā)展方向?！　±纾S田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥恕④?chē)輛
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圖解中國(guó)存儲(chǔ)器三大勢(shì)力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)器后進(jìn)廠商 2018 年開(kāi)始產(chǎn)能逐步開(kāi)出，目前狀況到底如何?
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過(guò)剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過(guò)于求。　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長(zhǎng)35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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