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SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手：閃存逆市漲價(jià)10%

2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲(chǔ)芯片的價(jià)格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了，2TB不到700元，但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受，三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格，12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息，雖然市場(chǎng)需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格，其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士成立了
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家

作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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TLC顆粒SSD的好日子不多了廠商放言：必被QLC取代

Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)品牌，關(guān)系類似于美光和英睿達(dá)。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)上，Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）?？磥鞩ntel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當(dāng)前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會(huì)取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng)，QLC顆粒存儲(chǔ)密度更高，也更容易做到大容量。
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業(yè)界首個(gè)！華為首發(fā)微存儲(chǔ)新品：1ms穩(wěn)定低時(shí)延

華為全聯(lián)接大會(huì)2022中國深圳站期間上，華為發(fā)布業(yè)界首個(gè)面向數(shù)據(jù)中心Diskless架構(gòu)的微存儲(chǔ)——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數(shù)據(jù)中心。據(jù)了解，華為OceanStor Micro微存儲(chǔ)本質(zhì)上是傳統(tǒng)盤框的智能化升級(jí)，以基于NOF+技術(shù)的高速網(wǎng)絡(luò)連接Diskless服務(wù)器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實(shí)現(xiàn)計(jì)算和存儲(chǔ)資源獨(dú)立彈性擴(kuò)展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域總裁黃濤詳細(xì)闡述了OceanStor Micro微存儲(chǔ)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念。他
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。因此，在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)，必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國工廠運(yùn)營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運(yùn)營受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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為什么會(huì)有 80GB / 320GB 這樣 "非標(biāo)準(zhǔn)" 容量的存儲(chǔ)卡

在過去很長時(shí)間里，存儲(chǔ)卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后，市場(chǎng)上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格”。這背后的原因是什么？正式動(dòng)筆后，我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會(huì)盡量剝離掉與大家關(guān)系不大的知識(shí)點(diǎn)，大家在閱讀時(shí)也可以忽略括號(hào)和 * 內(nèi)的部分。科普存儲(chǔ)卡、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的（即寫
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備

SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運(yùn)營盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開啟存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新浪潮

如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。隨著各國對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)更新，以及移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗(yàn)。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲(chǔ)顆粒的使用空間和密度美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過增加NAN
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％

根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
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庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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