nand 閃存文章最新資訊

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
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6月中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應(yīng)商開(kāi)始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷(xiāo)去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？

近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國(guó)西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱(chēng)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開(kāi)展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營(yíng)銷(xiāo)的方案等，未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱(chēng)，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績(jī)低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示，鎧俠
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鎧俠宣布運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

6月1日，鎧俠宣布開(kāi)始運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）方面的研發(fā)能力。未來(lái)，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲(chǔ)技術(shù)，鎧俠還從事其
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DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見(jiàn)回暖

業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
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需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購(gòu)動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jī)H微幅環(huán)比增長(zhǎng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量?jī)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶(hù)，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

【2023 年 4 月 25日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車(chē)電子電氣（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車(chē)域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車(chē)輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級(jí)功能。下一代汽車(chē)更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜，并
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以汽車(chē)為目標(biāo)，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車(chē)企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車(chē)架構(gòu)，下一代車(chē)型的設(shè)計(jì)卻在內(nèi)存方面面臨著問(wèn)題。由于許多原因，傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)的需求。為了滿(mǎn)足汽車(chē)區(qū)域架構(gòu)的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起，從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應(yīng)用于
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先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來(lái)越重要。
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫(kù)存去化已見(jiàn)成
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